Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.83
4,375En existencias

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IQE065N10NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$3.83

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$1.16

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13 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $6.17
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST026N10NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST026N10NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$6.17

$4.04

$2.97

$2.64

$2.34

Envase tipo carrete

$2.34

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.84
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N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$3.84

$2.50

$1.75

$1.46

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Envase tipo carrete

$1.28

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IST019N08NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.90
470En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IST019N08NM5AUMA1

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726-IST019N08NM5AUMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$4.90

$3.21

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.72
935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

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$6.72

$3.87

$3.05

$2.70

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OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.00
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IQE046N08LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E046N08LM5ATMA1

Infineon Technologies

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$2.49

$1.89

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.80
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IQE046N08LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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1,103En existencias
6,000Se espera el 3/12/2026

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IQE050N08NM5CGSCATMA1

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726-IQE050N08NM5CGSC

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies
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IQE050N08NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5SCAT

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC025N08NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
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ISC025N08NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.86
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP083N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$2.86

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$1.76

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1 Channel

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36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQD020N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IQD020N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD020N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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3,133En existencias

Cinta cortada

$5.48

$3.84

$3.00

$2.67

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT013N08NM5LFATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPT013N08NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT013N08NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2,382En existencias

Cinta cortada

$9.50

$6.69

$5.21

$4.59

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$3.86

MouseReel Disponible

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278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.15
615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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615En existencias

$4.15

$2.29

$1.90

$1.72

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TO-220-3

N-Channel

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167 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPTC011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.51
23En existencias
5,400Se espera el 21/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC011N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC011N08NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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23En existencias

5,400Se espera el 21/7/2026

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$7.51

$5.04

$3.45

$3.03

Envase tipo carrete

$2.70

Min.: 1
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HDSOP-16

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3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.04
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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266En existencias

Cinta cortada

$4.04

$2.64

$1.92

$1.61

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Envase tipo carrete

$1.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
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80 V

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3.8 V

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+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.93
54En existencias
6,000Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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54En existencias

6,000Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

$3.93

$2.57

$1.87

$1.57

Ver

Envase tipo carrete

$1.37

Min.: 1
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: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

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- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.85
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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92En existencias

Cinta cortada

$3.85

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$1.47

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Envase tipo carrete

$1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.73
11,970En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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11,970En pedido

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$4.73

$3.10

$2.31

$1.93

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Envase tipo carrete

$1.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
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99 A

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+ 175 C

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: $6.83
11,901Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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11,901Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

$6.83

$4.57

$3.67

$3.27

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Envase tipo carrete

$2.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.65
10,000Se espera el 23/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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10,000Se espera el 23/7/2026

Cinta cortada

$3.65

$2.37

$1.66

$1.39

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Envase tipo carrete

$1.22

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

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3.8 V

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- 55 C

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.06
5,226En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC014N10NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

5,226En pedido

Cinta cortada

$7.06

$4.63

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$2.71

Envase tipo carrete

$2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
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HDSOP-16

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+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $6.46
5,000Se espera el 27/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQD016N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD016N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

5,000Se espera el 27/8/2026

Cinta cortada

$6.46

$4.23

$3.12

$2.77

$2.48

Envase tipo carrete

$2.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

323 A

1.57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.15
5,979Se espera el 13/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

5,979Se espera el 13/8/2026

Cinta cortada

$4.15

$2.72

$2.03

$1.70

Ver

Envase tipo carrete

$1.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies
500: $3.06
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$3.06

$2.71

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

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