Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 674,700En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 81,416En existencias
51,000Se espera el 2/3/2026
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 67,064En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 47,737En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 21,128En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 40,855En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 53,614En existencias
6,000Se espera el 13/2/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 27,770En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 7,347En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 829En existencias
6,000En pedido
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 80En existencias
9,000Se espera el 13/2/2026
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current 30,729En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-523-2
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q 14,496En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-323
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 8,407En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5,790En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet 9,771En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 5,106En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q No en existencias
Min.: 6,000
Mult.: 6,000
Carrete: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT USC-2