Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
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SSM3K361R,LF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

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1 Channel

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3.5 A

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- 20 V, 20 V

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+ 175 C

1.2 W

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AEC-Q101

U-MOSVIII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
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3.5 A

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Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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SSM3J356R,LF
Toshiba
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Toshiba
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SSM3K318R,LF
Toshiba
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U-MOSIV

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SSM3K341R,LF
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60 V

6 A

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- 20 V, 20 V

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SSM3K361TU,LF
Toshiba
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UFM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

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AEC-Q101

U-MOSVIII-H

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SSM3K376R,LF

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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

56 mOhms

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1 V

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- 55 C

+ 150 C

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AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

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SSM3K62TU,LF
Toshiba
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SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

43 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: $0.70
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

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757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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$0.283

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

3 nC

- 55 C

+ 150 C

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AEC-Q101

U-MOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
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SSM6N357R,LF

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757-SSM6N357RLF

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

60 V

650 mA

1.8 Ohms

- 12 V, 12 V

1.3 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
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SSM3H137TU,LF

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757-SSM3H137TULF

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UFM-3

N-Channel

1 Channel

34 V

2 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

+ 150 C

1 W

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U-MOSIV

Reel, Cut Tape

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