Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 55
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
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3,315En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
Hoja de datos
93,014En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 950 mA 266 mOhms, 415 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 320 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
2,660En existencias
3,000Se espera el 3/9/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 30 V 2 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
Hoja de datos
2,348En existencias
16,000Se espera el 24/8/2026
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: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 400 V 170 mA 14.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.9 V 4.54 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
Hoja de datos
2,432En existencias
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Min.: 1
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: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 240 V 350 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
32,040En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
5,035En existencias
3,000Se espera el 21/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 500 Ohms - 20 V, 20 V 2.7 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
10,187En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 140 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
Hoja de datos
28,591En existencias
30,000En pedido
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 390 mA 700 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 500 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
9,253En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
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8,915En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 55 V 540 mA 346 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
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1,170En existencias
198,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-323-3
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8,832En existencias
12,000En pedido
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
Hoja de datos
19,875En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
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1,559En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.7 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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Comentarios de Producto
25En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3
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13,149En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
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1,251En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 119 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Hoja de datos
1,659En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 41 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -330mA SOT-23-3
Hoja de datos
1,273En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 2.38 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Hoja de datos
134,900En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 660 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-363-6
Hoja de datos
16En existencias
9,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 131 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 560 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH
Hoja de datos
43,636En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.8 A 172 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
Hoja de datos
253,297En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 280 mA 2.1 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
Hoja de datos
8,785En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 240 V 110 mA 7.7 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel