Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL308CH6327XTSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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TSOP-6

N-Channel, P-Channel

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1.5 V, 1.6 V

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
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BSS215PH6327XT

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726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

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$0.435

$0.276

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1.2 V

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500 mW

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
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BSD235CH6327XT

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726-BSD235CH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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TSOP-6

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
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BSD235NH6327XT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

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$0.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
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BSS314PEH6327XT

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726-BSS314PEH6327SA1

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSP296NH6327XTSA1

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726-BSP296NH6327XTSA

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3

BSS606NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSS606NH6327XTSA1

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726-BSS606NH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

BSD223PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSD223PH6327XTSA1

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726-BSD223PH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

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SOT-363-6

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL207SPH6327XTSA1
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BSL207SPH6327XTSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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TSOP-6

P-Channel

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20 V

6 A

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1.2 V

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2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL215CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL215CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL215CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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18,991En existencias

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$1.15

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$0.351

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$0.25

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

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20 V

1.5 A, 1.5 A

108 mOhms, 173 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV, 950 mV

73 pC, 3 nC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.98
42,655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL316CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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Cinta cortada

$0.98

$0.609

$0.394

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$0.208

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.5 A

113 mOhms, 119 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V, 1.6 V

600 pC, 2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: $1.50
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BSP125H6433XTMA1

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726-BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

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$1.50

$0.764

$0.606

$0.477

Envase tipo carrete

$0.319

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: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

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- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3

BSP295H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.56
8,950En existencias
4,000Se espera el 28/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP295H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP295H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3

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8,950En existencias

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$1.56

$0.96

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$0.497

Envase tipo carrete

$0.424

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: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

1.8 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

14 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.55
207,734En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSP297H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP297H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

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Cinta cortada

$1.55

$0.955

$0.629

$0.494

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$0.422

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

200 V

660 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.37
107,376En existencias
195,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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107,376En existencias

195,000En pedido

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$0.37

$0.201

$0.136

$0.10

Envase tipo carrete

$0.075

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS127IXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.50
29,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS127IXTSA1

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726-BSS127IXTSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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$0.50

$0.34

$0.216

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Envase tipo carrete

$0.096

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 mA

500 Ohms

- 20 V, 20 V

2.6 V

650 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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26,279En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

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Cinta cortada

$0.49

$0.333

$0.211

$0.133

Envase tipo carrete

$0.098

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

106 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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17,853En existencias
36,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS306NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS306NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

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17,853En existencias

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Cinta cortada

$0.69

$0.478

$0.303

$0.187

Envase tipo carrete

$0.117

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

BSS806NEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.58
29,765En existencias
27,000En pedido

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BSS806NEH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS806NEH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.3 A

41 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
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BSS816NWH6327XTSA1

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726-SP000917562

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SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

107 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

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- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

BSL202SNH6327XTSA1
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BSL202SNH6327XTSA1

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TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
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726-BSL307SPH6327XTS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3

BSP373NH6327XTSA1
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726-BSP373NH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3

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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

2N7002DWH6327XT
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2N7002DWH6327XT

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726-2N7002DWH6327SA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
390 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
630 mA
660 mA
950 mA
1.2 A
1.4 A
1.4 A, 1.5 A

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
900 mV, 950 mV
950 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 1.6 V
1.6 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC