Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 60
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
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10,694En existencias
69,000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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150En existencias
3,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 3.1 A 123 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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75En existencias
150,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.7 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 2.8A
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3,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 4.1 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT DFN-2020M-6 N-Channel 1 Channel 110 V 9.9 A 70 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A
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35En existencias
6,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 4A
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359En existencias
3,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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1,301En existencias
3,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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9,976En existencias
6,000Se espera el 6/5/2026
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.7 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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2,976En existencias
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Si SMD/SMT SOT-96-1-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
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208,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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464En existencias
9,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.4 A 128 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.06 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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179En existencias
17,269En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 7 nC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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3,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.7 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V .27A
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124,321Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1 A 270 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 800 pC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A
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87,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 16 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 60V 8A
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37,211Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 2.6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 2.1A
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33,000Se espera el 2/4/2027
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 5.7 A 210 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
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48,000Se espera el 2/4/2027
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH
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17,897Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.7 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 40V 6A
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28,356Se espera el 2/4/2027
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 1 Channel 40 V 14 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 36 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5A
Hoja de datos
11,719Se espera el 2/4/2027
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 13 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
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31,990Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 15 V, 15 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8.1A
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24,000Se espera el 2/4/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.5 A 18 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 19.4 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 12V 8.2A
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14,969Se espera el 2/4/2027
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8.2 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 100 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel