Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 2.1A
33,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 5.7 A 210 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
48,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH
17,897En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.7 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 40V 6A
29,566Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 1 Channel 40 V 14 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 36 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5A
11,719Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 13 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
22,990Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 15 V, 15 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.2A
27,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.2 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 11 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 4.2A
62,576Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.2 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 10 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 100V 1.2A
17,995Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 100 V 1.2 A 365 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 10 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 60V 2.2A
20,076En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 2.1A
35,475Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2.1 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 833 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 6.2A
19,885En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6.2 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 1.6A
221,831En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 473 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.5 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 6.3A
51,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.3 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 9.9 nC - 55 C + 150 C 1.19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 40V 1.5A
200,853Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 1.5 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A
14,856En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.6 A 32 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 22.1 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 100V 1.1A N-CH TRENCH
221,200Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 5A
20,323Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.8A
24,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.8 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A
131,995En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 34 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 11 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 28V 4A
39,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 28 V 4 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 14 nC - 55 C + 150 C 1.2 W, 7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.5A
11,604Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.5 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 11 nC - 55 C + 150 C 930 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 4.2A
53,980Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.2 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 3A
29,994Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.8A
26,926Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.3 A 67 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 9 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel