Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 7.5A
3,166Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 15 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 7.2A
2,650Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10.3 A 23.5 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 1.9A
6,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 2.8 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 30V 6.1A
3,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 6.1 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB27EP/SOT1220/SOT1220
2,990Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 8.8 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 5A
6,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 32.5 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 4A
8,986En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 3.8A
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 72 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 5 nC - 55 C + 175 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .8A
23,924Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 800 mA 380 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 466 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.1A N-CH TRENCH
6,840En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 715 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 7.3A
14,519Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 30 A 25 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 8.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 7A
11,919Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 20 V 7 A 15 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 11 nC - 55 C + 175 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 6A
9,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT23 (TO-236AB) N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 24 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 12.4 nC - 55 C + 175 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 4.4A
12,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 4.7A
9,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 32 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 6.2 nC - 55 C + 150 C 1.05 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.9A
8,995En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 20 V 4.9 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 11 nC - 55 C + 175 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 3.4A
8,498Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.4 A 57 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 3.3 nC - 55 C + 175 C 5.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 3.2A
6,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 5.5A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 7.9A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.9 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 17 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11.3 A 16 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 36 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 2.8A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 7A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 17 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 5A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 Reel