CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage VGS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

Resultados: 45
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
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5En existencias
720En pedido
Min.: 1
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Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
220En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
225En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
166En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
125En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
188En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
141En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Hoja de datos
737En existencias
750Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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1,900En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
629En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Hoja de datos
95En existencias
750Se espera el 23/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Hoja de datos
570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
599En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
387En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
712En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
333En existencias
750Se espera el 22/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
336En existencias
480Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
686En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC