MOSFETs de SiC – Mouser Ecuador

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $9.41
329En existencias

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IMBG120R060M1HXTMA1

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726-IMBG120R060M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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329En existencias

Cinta cortada

$9.41

$7.15

$5.98

$5.33

Envase tipo carrete

$5.04

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $14.41
641En existencias

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IMBG120R045M1HXTMA1

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726-IMBG120R045M1HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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641En existencias

Cinta cortada

$14.41

$10.04

$8.43

$7.64

Envase tipo carrete

$7.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.13
369En existencias

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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369En existencias

$7.13

$4.89

$4.25

$4.24

$3.78

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $8.28
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726-IMZA65R107M1HXKS

Fin de vida útil

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos

437En existencias

$8.28

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$4.45

$3.96

$3.51

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

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5.7 V

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75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.05
365En existencias

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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365En existencias

$7.05

$4.79

$3.96

$3.79

$3.67

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

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3.5 V

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $8.78
434En existencias
NRND

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IMW65R072M1HXKSA1

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726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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434En existencias

$8.78

$5.79

$4.67

$4.02

$3.90

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

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+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $8.18
1,163En existencias
6,000Se espera el 20/8/2026

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IMBF170R450M1XTMA1

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726-IMBF170R450M1XTM

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1,163En existencias

6,000Se espera el 20/8/2026

Cinta cortada

$8.18

$5.47

$4.40

$3.91

Envase tipo carrete

$3.47

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
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IMBF170R650M1XTMA1

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726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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889En existencias

Cinta cortada

$6.37

$4.00

$3.07

$2.76

Envase tipo carrete

$2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

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1.7 kV

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650 mOhms

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4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBG120R030M1HXTMA1
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525En existencias
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IMBG120R030M1HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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525En existencias

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Cinta cortada

$18.53

$14.11

$11.76

$10.48

Envase tipo carrete

$9.79

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

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5.1 V

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- 55 C

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300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
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859En existencias

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IMBG120R090M1HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Cinta cortada

$9.16

$6.25

$5.16

$4.60

Envase tipo carrete

$4.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

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1 Channel

1.2 kV

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5.1 V

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+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
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1,860En existencias
2,000Se espera el 23/7/2026

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IMBG120R140M1HXTMA1

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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1,860En existencias

2,000Se espera el 23/7/2026

Cinta cortada

$8.09

$5.69

$4.60

$4.09

Envase tipo carrete

$3.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $6.70
1,208En existencias
1,000Se espera el 27/8/2026

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IMBG120R350M1HXTMA1

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726-IMBG120R350M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1,208En existencias

1,000Se espera el 27/8/2026

Cinta cortada

$6.70

$4.39

$3.23

$2.87

Envase tipo carrete

$2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.24
1,784En existencias
3,120En pedido

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IMW120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Hoja de datos

1,784En existencias

3,120En pedido

$7.24

$4.84

$3.89

$3.46

$3.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.36
597En existencias
240Se espera el 16/7/2026

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IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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597En existencias

240Se espera el 16/7/2026

$6.36

$3.61

$3.01

$2.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $16.22
1,234En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,234En existencias

$16.22

$12.36

$10.30

$9.17

$8.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.62
444En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

444En existencias

$11.62

$7.44

$5.97

$5.48

$4.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $16.71
289En existencias
1,200En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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289En existencias

1,200En pedido

$16.71

$12.73

$10.61

$9.44

$8.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $19.97
480En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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480En pedido

$19.97

$12.73

$10.96

$10.24

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.62
241En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R060M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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241En pedido

$11.62

$8.40

$7.00

$6.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.33
26En existencias
960En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Hoja de datos

26En existencias

960En pedido

$11.33

$7.60

$6.02

$5.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $8.13
83En existencias
1,920En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Hoja de datos

83En existencias

1,920En pedido

$8.13

$5.27

$4.05

$3.54

$3.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.02
317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R350M1HXKS

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

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317En existencias

$7.02

$4.70

$3.77

$3.35

$2.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

350 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.13
27En existencias
240En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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27En existencias

240En pedido

$11.13

$7.87

$6.56

$5.83

$5.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
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10,930Se espera el 26/8/2026

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IMBF170R1K0M1XTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R030M1HXKS

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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$18.42

$12.18

$10.52

$10.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms