MOSFETs de SiC – Mouser Ecuador

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $10.18
323En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R060M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R060M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

323En existencias

Cinta cortada

$10.18

$5.67

$5.33

$5.26

Envase tipo carrete

$4.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.76
418En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

418En existencias

$10.76

$6.37

$5.37

$4.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $13.53
617En existencias
NRND

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IMBG120R045M1HXTMA1

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726-IMBG120R045M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

617En existencias

Cinta cortada

$13.53

$8.24

$8.13

$7.76

Envase tipo carrete

$7.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $5.84
368En existencias
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NRND

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

368En existencias

$5.84

$4.68

$4.25

$4.00

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.65
437En existencias
Fin de vida útil

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IMZA65R107M1HXKSA1

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726-IMZA65R107M1HXKS

Fin de vida útil

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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437En existencias

$6.65

$4.24

$3.97

$3.96

$3.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $8.15
859En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R090M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R090M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

859En existencias

Cinta cortada

$8.15

$5.75

$4.30

$4.28

Envase tipo carrete

$3.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $7.06
3,860En existencias
NRND

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IMBG120R140M1HXTMA1

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726-IMBG120R140M1HXT

NRND

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

3,860En existencias

Cinta cortada

$7.06

$4.03

$3.69

$3.60

Envase tipo carrete

$3.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.71
1,469En existencias
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IMZA65R027M1HXKSA1

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726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,469En existencias

$15.71

$9.01

$8.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $5.34
675En existencias
3,000En pedido

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IMBF170R1K0M1XTMA1

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726-IMBF170R1K0M1XTM

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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675En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

$5.34

$2.78

$2.53

$2.24

Envase tipo carrete

$2.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $7.37
3,879En existencias
8,000En pedido

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IMBF170R450M1XTMA1

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726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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3,879En existencias

8,000En pedido

Cinta cortada

$7.37

$4.49

$3.81

$3.48

Envase tipo carrete

$3.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $16.02
516En existencias
2,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R030M1HXTMA1

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726-IMBG120R030M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

516En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

$16.02

$9.54

Envase tipo carrete

$9.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $6.92
2,512En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R220M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R220M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

2,512En existencias

Cinta cortada

$6.92

$3.67

$3.48

$3.09

Envase tipo carrete

$2.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $6.10
1,170En existencias
1,000Se espera el 4/3/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R350M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R350M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1,170En existencias

1,000Se espera el 4/3/2027

Cinta cortada

$6.10

$3.62

$2.95

$2.62

Envase tipo carrete

$2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.54
597En existencias
720Se espera el 6/5/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R090M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

597En existencias

720Se espera el 6/5/2027

$9.54

$5.14

$4.74

$4.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.51
4,638En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

4,638En existencias

$6.51

$3.71

$3.40

$3.21

$3.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $8.27
334En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

334En existencias

$8.27

$4.70

$4.33

$4.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.87
473En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

473En existencias

$7.87

$5.26

$4.23

$3.76

$3.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.38
297En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

Hoja de datos

297En existencias

$6.38

$3.62

$3.32

$3.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

350 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.12
323En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

323En existencias

$11.12

$7.86

$6.55

$5.83

$4.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $6.40
57En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R650M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

57En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

$6.40

$3.84

$3.08

$2.77

Envase tipo carrete

$2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.7 kV

7.4 A

650 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $17.44
480Se espera el 24/9/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

480Se espera el 24/9/2026

$17.44

$11.87

$9.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.35
80En existencias
240En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

80En existencias

240En pedido

$7.35

$4.27

$3.92

$3.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.36
487En existencias
240Se espera el 13/5/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

487En existencias

240Se espera el 13/5/2027

$6.36

$3.28

$3.01

$2.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.12
71En existencias
1,680En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

71En existencias

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$15.12

$9.51

$8.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.50
15En existencias
960Se espera el 14/9/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

15En existencias

960Se espera el 14/9/2026

$11.50

$7.26

$5.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms