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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
1,855En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 780 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
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Plazo de entrega 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
2,471En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
4,925En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
1,738En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 28 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PrestoMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 286 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 42 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
410En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
491En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
2,957En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
1,967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 585 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 143 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 74 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
757En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 165 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
779En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 307 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
526En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
1,385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
668En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 253 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
541En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 70A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 70 A 58 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 165 nC - 55 C + 150 C 770 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
6,983En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
514En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Tube