Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables

Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables offer WLCSP and leadless DFN packages for mobile and portable applications. The Nexperia SSMOS packages provide an extremely small DFN solution in today's commonly used pitch size of 0.35mm. An ideal replacement solution where space is paramount, these ultra-small packages offer significant space efficiency while providing minimal effort on assembly adjustment. Available in both N-channel and P-channel, all parts are equipped with ESD protection of >2kV and with a high power capability of >1300mW.

Resultados: 16
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8026 N-CH 30V 3.5A 8,307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT DSN10063-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.3 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8007 N-CH 12V 11A 10,594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DSN1010-3 N-Channel 1 Channel 12 V 14 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 8 nC - 55 C + 150 C 3.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8026 N-CH 30V 4A 14,175En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT DSN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.8 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .26A 529En existencias
10,000Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 60 V 260 mA 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 400 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 12A 1,777En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020M-6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 12A 5,009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT1220-2-6 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6 2,970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 7.9 A 37 mOhms 12 V 900 mV 15 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8013 N-CH 20V 1.3A 449En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,007
Carrete: 15,000

Si SMD/SMT DFN-0603-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.3 A 210 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8013 N-CH 30V .82A 131En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 156
Carrete: 15,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 820 mA 250 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8013 P-CH 20V .9A 12,573En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 13,505
Carrete: 15,000

Si SMD/SMT DFN-0603-3 P-Channel 1 Channel 20 V 900 mA 500 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT883 N-CH 60V .27A
39,498Se espera el 26/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 mA 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 400 pC - 55 C + 150 C 648 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1216 2NCH 20V .93A
10,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010B-6 N-Channel 2 Channel 20 V 930 mA 320 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 600 pC - 55 C + 150 C 370 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1216 2PCH 20V .57A
9,987Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010B-6 P-Channel 2 Channel 20 V 2.3 A 770 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 600 pC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.9A
5,994Se espera el 1/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.9 A 12.2 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 6.6 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 30V 8.7A
3,000Se espera el 11/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020M-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12.3 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB06R7VP/SOT1220-4/DFN2020M- Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020M-6 P-Channel 1 Channel 12 V 16 A 8.8 mOhms 8 V 900 mV 32 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel