Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables

Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables offer WLCSP and leadless DFN packages for mobile and portable applications. The Nexperia SSMOS packages provide an extremely small DFN solution in today's commonly used pitch size of 0.35mm. An ideal replacement solution where space is paramount, these ultra-small packages offer significant space efficiency while providing minimal effort on assembly adjustment. Available in both N-channel and P-channel, all parts are equipped with ESD protection of >2kV and with a high power capability of >1300mW.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8026 N-CH 30V 3.5A

PMCB60XNEZ
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SMD/SMT

DSN10063-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.3 A

55 mOhms

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1.1 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8007 N-CH 12V 11A

PMCA14UNYL
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SMD/SMT

DSN1010-3

N-Channel

1 Channel

12 V

14 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

8 nC

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+ 150 C

3.9 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .26A

NX138AKHH
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SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

60 V

260 mA

4.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

400 pC

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625 mW

Enhancement

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PMPB07R3ENAX
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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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17 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 12A

PMPB07R3ENX
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT1220-2-6

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

12.5 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6

PMPB33XPZ
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SMD/SMT

DFN2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.9 A

37 mOhms

12 V

900 mV

15 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8013 N-CH 30V .82A

PMX300UNEZ
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1 Channel

30 V

820 mA

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900 mV

1.4 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8013 P-CH 20V .9A

PMX400UPZ
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SMD/SMT

DFN-0603-3

P-Channel

1 Channel

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900 mA

500 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

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- 55 C

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500 mW

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PMCB60XNZ
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SMD/SMT

DSN1006-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.8 A

50 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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NX138AKMYL
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SMD/SMT

DFN-1006-3

N-Channel

1 Channel

60 V

270 mA

4.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

400 pC

- 55 C

+ 150 C

648 mW

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1216 2NCH 20V .93A

PMDXB290UNEZ
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PMDXB290UNEZ

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SMD/SMT

DFN-1010B-6

N-Channel

2 Channel

20 V

930 mA

320 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

600 pC

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+ 150 C

370 mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1216 2PCH 20V .57A

PMDXB590UPEZ
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PMDXB590UPEZ

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771-PMDXB590UPEZ

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SMD/SMT

DFN-1010B-6

P-Channel

2 Channel

20 V

2.3 A

770 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

6 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.9A

PMPB10R3XNX
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PMPB10R3XNX

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771-PMPB10R3XNX

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SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.9 A

12.2 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 30V 8.7A

PMPB12R7EPX
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PMPB12R7EPX

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771-PMPB12R7EPX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 30V 8.7A

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020M-6

P-Channel

1 Channel

30 V

12.3 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

12.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8013 N-CH 20V 1.4A

PMX100UNEZ
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PMX100UNEZ

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771-PMX100UNEZ

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$0.109

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SMD/SMT

DFN-0603-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

160 mOhms

- 8 V, 8 V

500 mV

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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