Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK6P60W,RVQ
Toshiba
1: $3.34
4,523En existencias

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TK6P60W,RVQ

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757-TK6P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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1 Channel

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60 W

Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8P60W5,RVQ
Toshiba
1: $2.71
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TK8P60W5,RVQ

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757-TK8P60W5RVQ

Toshiba

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Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6P65W,RQ
Toshiba
1: $2.28
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1 Channel

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DTMOSIV

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TK12A80W,S4X
Toshiba
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TK12A80W,S4X

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757-TK12A80WS4X

Toshiba

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
1: $4.93
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TK16G60W5,RVQ

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Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK28N65W5,S1F
Toshiba
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TK28N65W5,S1F

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DTMOSIV

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TK8A60W5,S5VX
Toshiba
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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

TK14A65W5,S5X
Toshiba
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TK14A65W5,S5X

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757-TK14A65W5S5X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

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DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK17N65W,S1F
Toshiba
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TK17N65W,S1F

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757-TK17N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35N65W,S1F
Toshiba
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TK35N65W,S1F

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757-TK35N65WS1F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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35 A

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DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

TK8P65W,RQ
Toshiba
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TK8P65W,RQ

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757-TK8P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

650 V

7.8 A

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80 W

Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X
Toshiba
1: $4.48
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TK7A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

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3 V

13 nC

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+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: $5.23
2,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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$5.23

$3.48

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$1.94

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SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 40mohm

TK040N60Z1,S1F
Toshiba
1: $10.69
495En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK040N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 40mohm

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$6.40

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

85 nC

+ 150 C

297 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 80mohm

TK080N60Z1,S1F
Toshiba
1: $7.04
149En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK080N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK080N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 80mohm

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149En existencias

$7.04

$4.03

$3.84

$3.03

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

43 nC

+ 150 C

211 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 125mohm

TK125N60Z1,S1F
Toshiba
1: $5.66
135En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK125N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK125N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 125mohm

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135En existencias

$5.66

$3.18

$2.87

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

28 nC

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

TK100L60W,VQ
Toshiba
1: $32.20
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100L60W,VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100L60WVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

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$32.20

$24.52

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TO-3PL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

100 A

15 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

360 nC

- 55 C

+ 150 C

797 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1: $6.56
2,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

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2,581En existencias

Cinta cortada

$6.56

$4.40

$3.18

$2.95

$2.84

Envase tipo carrete

$2.75

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: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

87 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

TK10A60W,S4VX
Toshiba
1: $3.66
57En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

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57En existencias

$3.66

$1.86

$1.67

$1.43

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

TK11A65W,S5X
Toshiba
1: $2.22
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

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190En existencias

$2.22

$1.08

$0.98

$0.757

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.1 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.41
196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

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196En existencias

$3.41

$1.71

$1.57

$1.24

$1.14

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

TK12A60W,S4VX
Toshiba
1: $4.32
1En existencias
100Se espera el 29/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK12A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

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1En existencias

100Se espera el 29/5/2026

$4.32

$2.36

$2.11

$2.04

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
1: $3.55
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W5,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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207En existencias

$3.55

$1.80

$1.79

$1.37

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16E60W,S1VX
Toshiba
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TK16E60W,S1VX

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757-TK16E60WS1VX

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TO-220-3

N-Channel

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600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK20E60W5,S1VX
Toshiba
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TK20E60W5,S1VX

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1 Channel

600 V

20 A

175 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
24 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
40 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
28 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
150 W
156 W
165 W
180 W
190 W
211 W
230 W