N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 8A N-CH MOSFET
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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