Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
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IRFB7545PBF

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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$0.465

$0.404

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TO-220-3

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95 A

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Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
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726-IPB036N12N3GXT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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$3.07

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
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IPB120N06S403ATMA2

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726-IPB120N06S403ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04L G
Infineon Technologies
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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
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IPB090N06N3 G

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Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Infineon Technologies
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IPB180N04S4-01

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Infineon Technologies

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180 A

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Enhancement

AEC-Q100

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
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976En existencias

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IPB180N04S4-H0

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726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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$1.46

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40 V

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Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

IRFS7434TRL7PP
Infineon Technologies
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IRFS7434TRL7PP

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942-IRFS7434TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

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Envase tipo carrete

$1.24

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

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3 V

210 nC

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245 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.38
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N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$1.38

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$0.453

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$0.329

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

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1.2 V

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69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: $0.89
9,909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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9,909En existencias

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$0.89

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$0.348

$0.275

Envase tipo carrete

$0.179

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.07
65En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4LH0ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4LH0AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

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65En existencias

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$4.07

$2.67

$2.01

$1.78

Envase tipo carrete

$1.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

310 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1: $1.95
581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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581En existencias

Cinta cortada

$1.95

$1.25

$0.862

$0.731

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$0.61

$0.581

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-01
Infineon Technologies
1: $3.85
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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708En existencias

Cinta cortada

$3.85

$2.52

$1.76

$1.44

Envase tipo carrete

$1.34

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S209ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.19
744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S209ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S209ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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744En existencias

Cinta cortada

$3.19

$2.08

$1.46

$1.24

Envase tipo carrete

$1.05

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
1: $3.24
971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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971En existencias

Cinta cortada

$3.24

$2.09

$1.48

$1.20

Envase tipo carrete

$1.10

$1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

IPB17N25S3-100
Infineon Technologies
1: $3.14
1,095En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB17N25S3-100

N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3-100

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

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1,095En existencias

Cinta cortada

$3.14

$2.04

$1.50

$1.29

Envase tipo carrete

$1.09

$1.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.52
16,176En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH46NE2LM7ZCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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16,176En existencias

Cinta cortada

$3.52

$2.30

$1.60

$1.33

$1.31

Envase tipo carrete

$1.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.28
5,381En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH64NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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5,381En existencias

Cinta cortada

$3.28

$1.95

$1.47

$1.18

$1.10

Envase tipo carrete

$1.01

Min.: 1
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: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
1: $3.24
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

862En existencias

Cinta cortada

$3.24

$2.11

$1.62

$1.39

Envase tipo carrete

$1.18

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.58 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

134 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPB160N04S4LH1ATMA1
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$1.08

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

IPB107N20NAXT
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NRND

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$5.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-04
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$1.35

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
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IPB037N06N3 G

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726-IPB037N06N3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
5 A
6 A
8.7 A
12 A
17 A
18.1 A
24.8 A
25 A
33 A
34 A
35 A
40 A
50 A
63 A
64 A
70 A

480 uOhms
500 uOhms
540 uOhms
640 uOhms
680 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
4.7 nC
9 nC
13 nC
14 nC
17.2 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31.5 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30 W
30.4 W
32 W
41 W
53 W
58 W
69 W
71 W
75 W
79 W
83.3 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W