Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel .25W
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 3K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350mW 30Vdss
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
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6,000Se espera el 4/5/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
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