Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
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63,362En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
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22,102En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523
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1,505,007En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
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17,637En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
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22,821En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl UMOS
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17,550En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel 6.8A MOSFET
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15,741En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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20,000En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET
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5,636En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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7,028En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W
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10,751En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh
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5,049En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
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18,607En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 100V
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2,476En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
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2,688En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
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5,530En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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8,890En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
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9,686En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
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11,980En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -8.6A
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7,696En existencias
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Máx.: 210
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
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4,514En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
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3,181En existencias
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Máx.: 150
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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32,178En existencias
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Máx.: 550
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF
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46,342En existencias
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Máx.: 950
: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A
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11,043En existencias
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Máx.: 440
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