Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 18,864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 134 mOhms - 12 V, 12 V 1 V - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 92,319En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 900
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 17.1 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 4,166En existencias
5,000Se espera el 12/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,360
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 5.8 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV, 1.8 V 37.56 nC, 33.66 nC - 55 C + 150 C 2.14 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 149,119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,060
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 20 V 630 mA 400 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV 736.6 pC - 55 C + 150 C 280 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 10,228En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 13.7 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 71,325En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,960
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 8 nC - 55 C + 150 C 1.08 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 3,843En existencias
2,500Se espera el 21/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 14 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A 3,717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 40 V 10.1 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 1.82 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A 2,218En existencias
192,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 230 mA 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family 5,282En existencias
6,000Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,150
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 60 V 115 mA 13.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 12,847En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 880
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 50 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1,820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V 3.9 A, 5.1 A 17 mOhms, 37 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV, 1 V 23.1 nC, 20.8 nC - 55 C + 150 C 1.36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 444En existencias
123,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 1.5 Ohms - 6 V, 6 V 1 V 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 69En existencias
108,000Se espera el 21/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 52 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 10.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode 3,304En existencias
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 980
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 1.36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET 1,588En existencias
54,000Se espera el 26/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 2.8 A, 3.4 A 100 mOhms, 140 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2.3 V 9 nC, 7 nC - 55 C + 150 C 1.27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A 6,605En existencias
24,000Se espera el 21/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.5 A 21 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A 1,880En existencias
2,500Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 5 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22.4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson 323En existencias
12,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 770
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 3,550En existencias
213,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 15,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 870 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 193En existencias
2,500Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 2,805En existencias
42,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 500 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 15En existencias
18,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,830
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 50 V 130 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 280 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
71,860En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,130
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
254,695En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,310
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel