Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPW60R080P7XKSA1
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1 Channel

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76 A

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IPA60R160P7XKSA1
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600 V

23.8 A

374 mOhms

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IPAN60R180P7SXKSA1
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600 V

18 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

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