Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R099CP
Infineon Technologies
1:
$7.38
1,130 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
1,130 En existencias
Embalaje alternativo
1
$7.38
10
$5.51
100
$4.45
500
$3.96
1,000
$3.39
2,000
Ver
2,000
$3.38
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
255 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.54
1,963 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
1,963 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.54
10
$2.65
100
$1.95
500
$1.77
1,000
$1.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.55
5,025 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
5,025 En existencias
1
$1.55
10
$0.98
100
$0.653
500
$0.513
2,500
$0.396
5,000
Ver
1,000
$0.468
5,000
$0.369
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
14.7 A
400 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32 nC
- 40 C
+ 150 C
112 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.14
6,897 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
6,897 En existencias
1
$1.14
10
$0.719
100
$0.473
500
$0.366
2,500
$0.252
10,000
Ver
1,000
$0.332
10,000
$0.243
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
8.4 A
800 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
17.2 nC
- 40 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R199CP
Infineon Technologies
1:
$4.26
914 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
914 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.26
10
$2.77
100
$2.41
500
$2.16
1,000
$1.83
2,000
$1.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R165CP
Infineon Technologies
1:
$4.73
2,498 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
2,498 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.73
10
$3.13
100
$2.45
500
$2.18
1,000
$1.85
2,000
Ver
2,000
$1.75
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R140CP
Infineon Technologies
1:
$4.59
789 En existencias
500 Se espera el 5/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
789 En existencias
500 Se espera el 5/3/2026
Embalaje alternativo
1
$4.59
10
$3.04
100
$2.38
500
$2.12
1,000
$1.79
2,000
$1.69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
23 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.69
447 En existencias
2,000 Se espera el 23/2/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
447 En existencias
2,000 Se espera el 23/2/2026
Embalaje alternativo
1
$3.69
10
$2.41
100
$1.88
500
$1.58
1,000
$1.22
2,000
Ver
2,000
$1.19
10,000
$1.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
17 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.48
8,765 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
8,765 En existencias
1
$1.48
10
$0.934
100
$0.622
500
$0.492
2,500
$0.359
10,000
Ver
1,000
$0.448
10,000
$0.346
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
1.9 A
2.8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$0.94
13,928 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
13,928 En existencias
1
$0.94
10
$0.586
100
$0.382
500
$0.294
2,500
$0.214
5,000
Ver
1,000
$0.265
5,000
$0.199
10,000
$0.193
25,000
$0.184
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
6.8 A
1 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
61 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IPL60R385CP
Infineon Technologies
1:
$1.06
2,106 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2,106 En existencias
1
$1.06
10
$1.05
100
$1.03
1,000
$0.871
3,000
$0.837
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
27 A
385 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
17 nC
- 40 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.09
2,236 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
2,236 En existencias
1
$2.09
10
$1.34
100
$0.903
500
$0.719
2,500
$0.577
5,000
Ver
1,000
$0.669
5,000
$0.556
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
9 A
399 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IPL60R199CP
Infineon Technologies
1:
$4.03
2,495 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R199CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2,495 En existencias
1
$4.03
10
$2.66
100
$1.87
500
$1.68
1,000
Ver
3,000
$1.37
1,000
$1.59
3,000
$1.37
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
ThinPAK-5
N-Channel
1 Channel
600 V
16.4 A
199 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32 nC
- 40 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$0.88
4,737 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,737 En existencias
1
$0.88
10
$0.549
100
$0.356
500
$0.273
2,500
$0.193
5,000
Ver
1,000
$0.247
5,000
$0.181
10,000
$0.168
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
6.6 A
2.25 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
10.5 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW50R250CP
Infineon Technologies
1:
$2.99
172 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
172 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.99
10
$2.35
100
$1.87
480
$1.56
1,200
Ver
1,200
$1.34
2,640
$1.27
5,040
$1.23
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
13 A
220 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.22
2,588 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,588 En existencias
1
$1.22
10
$0.593
100
$0.421
500
$0.35
2,500
$0.278
5,000
Ver
1,000
$0.322
5,000
$0.272
10,000
$0.265
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9.9 A
540 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
20.5 nC
- 40 C
+ 150 C
82 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.80
1,780 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
1,780 En existencias
1
$1.80
10
$1.15
100
$0.768
500
$0.607
2,500
$0.473
5,000
Ver
1,000
$0.555
5,000
$0.453
25,000
$0.446
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
3.9 A
1.4 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$0.76
7,857 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
7,857 En existencias
1
$0.76
10
$0.473
100
$0.306
500
$0.234
3,000
$0.162
6,000
Ver
1,000
$0.209
6,000
$0.15
9,000
$0.139
24,000
$0.137
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
3.51 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
9.4 nC
- 40 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CP
Infineon Technologies
1:
$4.73
375 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
375 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.73
10
$3.13
100
$2.50
500
$2.11
1,000
Ver
1,000
$1.86
2,500
$1.79
5,000
$1.75
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.97
585 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CPXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
585 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.97
10
$3.35
25
$2.30
100
$2.14
500
Ver
500
$1.74
1,000
$1.68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW60R075CP
Infineon Technologies
1:
$10.01
271 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
271 En existencias
Embalaje alternativo
1
$10.01
10
$7.83
100
$6.53
480
$5.81
1,200
$5.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
39 A
68 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
116 nC
- 55 C
+ 150 C
313 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.74
8,883 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
8,883 En existencias
1
$1.74
10
$1.19
100
$0.798
500
$0.632
2,500
$0.504
10,000
Ver
1,000
$0.583
10,000
$0.475
25,000
$0.465
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
18.1 A
280 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32.6 nC
- 55 C
+ 150 C
119 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.02
403 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
403 En existencias
1
$2.02
10
$0.979
100
$0.874
500
$0.555
1,000
Ver
1,000
$0.466
2,500
$0.465
5,000
$0.44
25,000
$0.439
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
14.7 A
890 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32 nC
- 40 C
+ 150 C
31 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA65R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
$1.49
980 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R1K0CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
980 En existencias
1
$1.49
10
$0.704
100
$0.627
500
$0.492
1,000
Ver
1,000
$0.412
2,500
$0.409
5,000
$0.372
10,000
$0.364
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
7.2 A
2.22 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
15.3 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
$1.76
501 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
501 En existencias
1
$1.76
10
$0.84
100
$0.766
500
$0.606
1,000
Ver
1,000
$0.50
5,000
$0.457
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
15.1 A
940 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
31 W
Enhancement
CoolMOS
Tube