Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 41

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTT6N120
IXYS
1: $14.52
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

Hoja de datos

274En existencias

$14.52

$8.80

$7.64

$7.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.6 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTH6N120
IXYS
1: $11.44
193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

Hoja de datos

193En existencias

$11.44

$8.72

$7.64

$7.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N120HV
IXYS
1: $8.54
418En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

418En existencias

$8.54

$4.68

$4.57

$4.09

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ4N150
IXYS
1: $13.42
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ4N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTJ4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

272En existencias

$13.42

$8.13

$6.98

$6.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

IXTH3N120
IXYS
1: $9.72
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

Hoja de datos

257En existencias

$9.72

$7.37

$4.64

$4.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

IXTT12N150HV
IXYS
1: $55.54
282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

282En existencias

$55.54

$40.58

$40.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH4N150
IXYS
1: $10.48
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH4N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

240En existencias

$10.48

$7.33

$5.17

$4.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

IXTX20N150
IXYS
1: $26.64
347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

347En existencias

$26.64

$19.62

$18.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

IXTA4N150HV
IXYS
1: $13.88
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA4N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

194En existencias

$13.88

$9.34

$8.66

$6.87

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

IXFH16N120P
IXYS
1: $20.61
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

Obtenga más información

Hoja de datos

280En existencias

$20.61

$13.26

$12.07

$12.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTA05N100HV
IXYS
1: $5.01
3,373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

3,373En existencias

$5.01

$4.01

$3.24

$2.88

$2.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXTA3N120
IXYS
1: $8.48
1,690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

Hoja de datos

1,690En existencias

$8.48

$5.28

$4.86

$4.38

$4.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

IXTP3N120
IXYS
1: $8.80
961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

Hoja de datos

961En existencias

$8.80

$5.03

$4.76

$4.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

IXTT12N150
IXYS
1: $18.09
317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

317En existencias

$18.09

$11.25

$10.05

$9.84

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N150HV
IXYS
1: $13.02
74En existencias
300Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

74En existencias

300Se espera el 26/10/2026

$13.02

$7.40

$6.73

$6.45

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

7.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH3N150
IXYS
1: $13.75
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH3N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

55En existencias

$13.75

$8.81

$8.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

7.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTP05N100
IXYS
1: $4.01
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

Hoja de datos

550En existencias

$4.01

$2.04

$1.85

$1.52

$1.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

IXTP05N100M
IXYS
1: $5.17
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

Hoja de datos

300En existencias

$5.17

$3.16

$2.70

$1.98

$1.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

700 mA

15 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

IXTY01N100
IXYS
1: $3.55
320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY01N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY01N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

Hoja de datos

320En existencias

$3.55

$1.71

$1.54

$1.30

$1.15

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

100 mA

80 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

IXTH12N150
IXYS
1: $18.03
300Se espera el 8/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

300Se espera el 8/5/2026

$18.03

$12.46

$11.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTA05N100
IXYS
300: $2.53
800Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

Hoja de datos

800Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

$2.53

$2.46

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

IXTH6N150
IXYS
1: $13.42
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

$13.42

$8.13

$7.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ6N150
IXYS
300: $9.68
Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTJ6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas

$9.68

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

3.85 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

IXTK20N150
IXYS
300: $40.74
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTK20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas

$40.74

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

IXTP2N80
IXYS
50: $2.57
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP2N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP2N80

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$2.57

$1.89

$1.68

$1.43

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

6.2 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
700 mA
750 mA
1.5 A
1.83 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
5 A
6 A
12 A
13 A
14 A
16 A
20 A
24 A
33 A
40 A
50 A

20 mOhms
25 mOhms
45 mOhms
85 mOhms
170 mOhms
350 mOhms
400 mOhms
700 mOhms
800 mOhms
950 mOhms
1 Ohms
2 Ohms
2.2 Ohms
2.4 Ohms
2.6 Ohms
3.5 Ohms
3.85 Ohms
4.5 Ohms
6 Ohms
6.2 Ohms