Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
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SSM6L14FE(TE85L,F)

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757-SSM6L14FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

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Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

80 mA, 720 mA

240 mOhms, 300 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 1 V

2 nC, 1.76 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII / U-MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

SSM6L40TU,LF
Toshiba
1: $0.61
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SSM6L40TU,LF

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757-SSM6L40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

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SMD/SMT

UF-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.6 A

122 mOhms, 226 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2 V

5.1 nC, 2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3J36FS,LF
Toshiba
1: $0.23
280,806En existencias

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SSM3J36FS,LF

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757-SSM3J36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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SMD/SMT

SOT-416-3

P-Channel

1 Channel

20 V

330 mA

1.31 Ohms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.2 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

SSM6P40TU,LF
Toshiba
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SSM6P40TU,LF

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757-SSM6P40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

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SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

226 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K127TU,LF
Toshiba
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SSM3K127TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K127TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

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- 12 V, 12 V

1 V

1.5 nC

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800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6K404TU,LF
Toshiba
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SSM6K404TU,LF

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757-SSM6K404TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

20 V

3 A

55 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K122TU,LF
Toshiba
1: $0.51
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3K122TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K122TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

123 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

XPJR6604PB,LXHQ
Toshiba
1: $2.47
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XPJR6604PB,LXHQ

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757-XPJR6604PBLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

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: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
1: $0.34
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SSM3K36MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

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SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

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- 5 V, 5 V

350 mV

1.23 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

SSM3K123TU,LF
Toshiba
1: $0.59
12,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K123TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K123TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

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$0.59

$0.359

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.2 A

28 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba
1: $0.20
119,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35AMFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

340 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2-in-1

SSM6L36FE,LM
Toshiba
1: $0.37
25,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L36FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L36FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2-in-1

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: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

330 mA, 500 mA

460 mOhms, 950 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 1 V

1.23 nC, 1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6L39TU,LF
Toshiba
1: $0.61
14,572En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L39TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L39TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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$0.127

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UF-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

1.5 A, 1.6 A

247 mOhms, 430 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 300 mV

7.5 nC, 6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

SSM6N15AFU,LF
Toshiba
1: $0.31
262,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N15AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N15AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

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262,992En existencias

Cinta cortada

$0.31

$0.19

$0.119

$0.088

Envase tipo carrete

$0.06

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFE,LF
Toshiba
1: $0.34
109,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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109,926En existencias

Cinta cortada

$0.34

$0.207

$0.13

$0.096

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$0.059

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Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

SSM6N37FU,LF
Toshiba
1: $0.33
47,249En existencias
9,000Se espera el 24/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N37FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N37FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

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47,249En existencias

9,000Se espera el 24/4/2026

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$0.33

$0.203

$0.127

$0.094

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$0.067

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

1.65 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15ACTC,L3F
Toshiba
1: $0.25
19,954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15ACTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15ACTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

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$0.25

$0.153

$0.096

$0.07

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$0.037

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: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM3K15ACT,L3F
Toshiba
1: $0.27
14,509En existencias
10,000Se espera el 24/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

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10,000Se espera el 24/4/2026

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$0.162

$0.102

$0.075

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$0.04

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Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3K36FS,LF
Toshiba
1: $0.23
30,154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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$0.046

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF

SSM3K37MFV,L3F
Toshiba
1: $0.23
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3K37MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF

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10,374En existencias

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$0.23

$0.143

$0.089

$0.066

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$0.033

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SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

2.2 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V

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Toshiba

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SMD/SMT

UF-6

N-Channel

1 Channel

30 V

500 mA

145 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6P36FE,LM
Toshiba
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SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

20 V

330 mA

3.6 Ohms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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SSM3K15AFS,LF
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SSM3K15AFU,LF
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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

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30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

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U-MOSIII

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SSM3K15AMFV,L3F
Toshiba
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1 Channel

U-MOSIII

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U-MOSIII MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 uOhms
28 mOhms
55 mOhms
66 mOhms
73 mOhms
87 mOhms, 87 mOhms
93 mOhms
120 mOhms, 210 mOhms
122 mOhms
122 mOhms, 226 mOhms
123 mOhms
126 mOhms
133 mOhms
145 mOhms
213 mOhms
226 mOhms
240 mOhms, 300 mOhms
247 mOhms, 430 mOhms
460 mOhms, 950 mOhms
630 mOhms