Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 29

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7
Infineon Technologies
1: $11.36
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IPP65R045C7

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726-IPP65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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$11.36

$8.03

$6.69

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46 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

IPW65R095C7
Infineon Technologies
1: $7.36
886En existencias

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IPW65R095C7

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726-IPW65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

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$4.93

$3.96

$3.51

$3.15

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N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R019C7
Infineon Technologies
1: $22.65
775En existencias

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IPW65R019C7

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726-IPW65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

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$22.65

$16.92

$14.63

$13.84

Presupuesto

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1 Channel

650 V

75 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

IPL65R230C7
Infineon Technologies
1: $3.40
6,349En existencias

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IPL65R230C7

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

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Cinta cortada

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R065C7
Infineon Technologies
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467En existencias

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IPP65R065C7

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726-IPP65R065C7

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$8.28

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33 A

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171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: $23.45
93En existencias

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IPZ65R019C7

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726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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$23.45

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$15.14

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Presupuesto

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75 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: $11.40
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7

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180En existencias

$11.40

$8.06

$6.71

$5.97

$5.66

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R065C7
Infineon Technologies
1: $8.31
243En existencias

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IPA65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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243En existencias

$8.31

$5.85

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$4.20

$3.77

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15 A

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
1: $12.24
998En existencias
2,000Se espera el 7/9/2026

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IPB65R045C7ATMA2

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726-IPB65R045C7ATMA2

Infineon Technologies

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998En existencias

2,000Se espera el 7/9/2026

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$12.24

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$6.85

$6.24

Envase tipo carrete

$5.31

MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $9.86
1,274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R065C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R065C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

$9.86

$6.84

$5.30

$4.64

Envase tipo carrete

$3.89

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MouseReel Disponible

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33 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $7.36
1,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

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$7.36

$4.71

$3.57

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$2.96

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: $3.20
1,641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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Cinta cortada

$3.20

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$1.49

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Envase tipo carrete

$1.07

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MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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4 V

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63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7
Infineon Technologies
1: $7.26
242En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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242En existencias

$7.26

$4.76

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TO-220-3

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1 Channel

650 V

12 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.79
155En existencias
500Se espera el 2/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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155En existencias

500Se espera el 2/7/2026

$3.79

$2.29

$1.95

$1.62

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD65R190C7
Infineon Technologies
1: $3.56
1,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,081En existencias

Cinta cortada

$3.56

$2.32

$1.63

$1.36

$1.30

Envase tipo carrete

$1.18

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R190C7
Infineon Technologies
1: $4.90
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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243En existencias

$4.90

$3.21

$2.40

$2.00

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.83
69En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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69En existencias

$5.83

$3.39

$2.85

$2.36

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.32
947En existencias
1,000Se espera el 24/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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947En existencias

1,000Se espera el 24/9/2026

Cinta cortada

$4.32

$2.83

$1.86

$1.56

Envase tipo carrete

$1.48

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

404 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R095C7
Infineon Technologies
1: $7.24
99En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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99En existencias

$7.24

$4.74

$3.49

$2.96

$2.75

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7
Infineon Technologies
1: $11.78
61En existencias
240Se espera el 15/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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Hoja de datos

61En existencias

240Se espera el 15/7/2026

$11.78

$8.52

$7.10

$6.32

$5.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R065C7
Infineon Technologies
1: $9.30
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

194En existencias

$9.30

$6.55

$5.30

$4.70

$4.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: $13.01
240Se espera el 18/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Hoja de datos

240Se espera el 18/2/2027

$13.01

$9.70

$8.08

$6.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

IPP65R225C7
Infineon Technologies
500: $1.26
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

$1.26

$1.17

$1.10

Min.: 500
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

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20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R070C7
Infineon Technologies
3,000: $4.00
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R070C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R070C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

$4.00

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

62 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 40 C

+ 150 C

169 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R099C7
Infineon Technologies
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IPL65R099C7

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$2.74

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

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SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

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