Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

Resultados: 130
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si 60 V 4.2 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si 60 V 33 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si 60 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si 60 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si 60 V 18 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 30 V 45 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 30 V 60 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si 30 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 107 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si 30 V 115 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 60 V 42 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 60 V 42 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 60 V 15 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si 60 V 48 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 60 V 48 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 60 V 40 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 60 V 40 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 30 V 6.4 A 37 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 6 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 30 V 4.6 A 71 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15.5 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 30 V 6.4 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 30 V 6.8 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 30 V 4.6 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 5.2 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 30 V 4.9 A 64 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 14 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si 20 V 6.6 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel