Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB090N06N3 G
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$2.02

$1.29

$0.849

$0.673

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3

BSS169H6327XT
Infineon Technologies
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BSS169H6327XT

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Infineon Technologies

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2.9 V

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Depletion

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Infineon Technologies
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Fin de vida útil

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Fin de vida útil

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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OptiMOS

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IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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581En existencias

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AEC-Q100

OptiMOS

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IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20NAXT

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

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3,837En existencias

Cinta cortada

$9.86

$7.48

$6.23

$5.55

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$5.18

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3 G

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726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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879En existencias

Cinta cortada

$2.78

$1.78

$1.21

$1.04

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$0.88

$0.872

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90 A

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

IPB17N25S3-100
Infineon Technologies
1: $3.14
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N.º de artículo del Fabricante
IPB17N25S3-100

N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3-100

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

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1,095En existencias

Cinta cortada

$3.14

$2.04

$1.50

$1.29

Envase tipo carrete

$1.09

$1.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

250 V

17 A

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-01
Infineon Technologies
1: $3.71
737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

737En existencias

Cinta cortada

$3.71

$2.43

$1.76

$1.44

Envase tipo carrete

$1.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

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- 55 C

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AEC-Q100

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S407ATMA2
Infineon Technologies
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546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S407ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S407ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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Hoja de datos

546En existencias

Cinta cortada

$2.49

$1.59

$1.10

$0.903

Envase tipo carrete

$0.788

$0.742

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
1: $3.24
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N.º de artículo del Fabricante
IPB90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

971En existencias

Cinta cortada

$3.24

$2.09

$1.48

$1.20

Envase tipo carrete

$1.10

$1.09

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

40 V

90 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
1: $3.24
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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862En existencias

Cinta cortada

$3.24

$2.11

$1.62

$1.39

Envase tipo carrete

$1.18

Presupuesto

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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+ 175 C

158 W

Enhancement

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB038N12N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB038N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB038N12N3GXT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,824En existencias

Cinta cortada

$5.07

$3.74

$2.75

$2.45

Envase tipo carrete

$2.16

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Min.: 1
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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB065N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB065N15N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

2,822En existencias

Cinta cortada

$5.44

$4.42

$3.86

$3.61

Envase tipo carrete

$3.06

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Min.: 1
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150 V

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

286 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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IPB025N08N3 G
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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
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726-IPB70N10S312

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MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
110 mA
170 mA
230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
6 A
12 A
17 A
18.1 A
22.4 A
24.8 A
25 A
34 A
35 A
45 A
50 A
64 A
69 A

800 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
2.3 nC
9 nC
14 nC
18 nC
29 nC
32 nC
32.6 nC
33 nC
36 nC
39 nC
44 nC
47.2 nC
51 nC
56 nC
60 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30.4 W
32 W
33 W
36 W
58 W
71 W
79 W
88 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W
136 W
150 W
158 W