|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R185C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.71
-
2,662En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,662En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
- CYPD3174-24LQXQ
- Infineon Technologies
-
1:
$2.07
-
3,708En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
727-CYPD3174-24LQXQ
|
Infineon Technologies
|
Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
|
|
3,708En existencias
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.25
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.08
|
|
|
$1.03
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.92
-
4,880En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,880En existencias
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.729
|
|
|
$0.635
|
|
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$0.494
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.423
|
|
|
$0.411
|
|
|
$0.359
|
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|
$0.349
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R900P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.05
-
19,331En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
19,331En existencias
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.62
|
|
|
$0.428
|
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$0.33
|
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$0.23
|
|
|
Ver
|
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|
$0.298
|
|
|
$0.224
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
- IPL65R195C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.76
-
2,875En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R195C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
|
|
2,875En existencias
|
|
|
$3.76
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
- IPL65R230C7
- Infineon Technologies
-
1:
$3.25
-
6,349En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R230C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
6,349En existencias
|
|
|
$3.25
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.02
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.989
|
|
|
$0.959
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.03
-
4,755En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R600PFD7AT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
4,755En existencias
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.839
|
|
|
$0.665
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.438
|
|
|
$0.591
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.438
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPL60R365P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.83
-
4,532En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
4,532En existencias
|
|
|
$2.83
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.779
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.934
|
|
|
$0.741
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN70R360P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.75
-
1,699En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,699En existencias
|
|
|
$1.75
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.741
|
|
|
$0.584
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.495
|
|
|
$0.482
|
|
|
$0.438
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R285P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.81
-
1,522En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,522En existencias
|
|
|
$2.81
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.973
|
|
|
$0.911
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN80R600P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.17
-
1,419En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,419En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.656
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.614
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
Infineon Technologies ESD134B1W0201E6327XTSA1
- ESD134B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.18
-
42,019En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD134B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
42,019En existencias
|
|
|
$0.18
|
|
|
$0.079
|
|
|
$0.046
|
|
|
$0.045
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.036
|
|
|
$0.044
|
|
|
$0.042
|
|
|
$0.036
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPLK60R1K0PFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.75
-
3En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R1K0PFD7AT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
3En existencias
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.724
|
|
|
$0.574
|
|
|
$0.448
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.51
|
|
|
$0.466
|
|
|
$0.433
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R360P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.14
-
4,948En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
4,948En existencias
|
|
|
$3.14
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
- BSC098N10NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.00
-
25,410En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC098N10NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
|
|
25,410En existencias
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.838
|
|
|
$0.678
|
|
|
$0.555
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.633
|
|
|
$0.604
|
|
|
$0.546
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- BSC160N15NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.24
-
12,489En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC160N15NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
12,489En existencias
|
|
|
$3.24
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.30
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A
- BSL606SNH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.87
-
16,506En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSL606SNH6327XTS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A
|
|
16,506En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.35
|
|
|
$0.319
|
|
|
$0.24
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.268
|
|
|
$0.206
|
|
|
$0.192
|
|
|
$0.172
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD131B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.27
-
215,436En existencias
-
15,000Se espera el 26/5/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD131B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
215,436En existencias
15,000Se espera el 26/5/2026
|
|
|
$0.27
|
|
|
$0.157
|
|
|
$0.098
|
|
|
$0.076
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.047
|
|
|
$0.06
|
|
|
$0.052
|
|
|
$0.047
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD239B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.15
-
136,072En existencias
-
90,000Se espera el 11/6/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD239B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
136,072En existencias
90,000Se espera el 11/6/2026
|
|
|
$0.15
|
|
|
$0.104
|
|
|
$0.045
|
|
|
$0.042
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.027
|
|
|
$0.036
|
|
|
$0.035
|
|
|
$0.032
|
|
|
$0.027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD245B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.17
-
237,403En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD245B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
237,403En existencias
|
|
|
$0.17
|
|
|
$0.115
|
|
|
$0.056
|
|
|
$0.047
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.027
|
|
|
$0.033
|
|
|
$0.029
|
|
|
$0.027
|
|
|
$0.027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R180P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.06
-
14,590En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
14,590En existencias
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.32
|
|
|
$0.885
|
|
|
$0.702
|
|
|
$0.578
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.643
|
|
|
$0.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R360P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.45
-
7,361En existencias
-
2,500Se espera el 17/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
7,361En existencias
2,500Se espera el 17/12/2026
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.904
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.358
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.422
|
|
|
$0.35
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.329
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.23
-
28,146En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
28,146En existencias
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.878
|
|
|
$0.546
|
|
|
$0.377
|
|
|
$0.274
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.324
|
|
|
$0.243
|
|
|
$0.226
|
|
|
$0.204
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R125P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.68
-
4,754En existencias
-
6,000Se espera el 2/7/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
4,754En existencias
6,000Se espera el 2/7/2026
|
|
|
$3.68
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.88
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R185P7AUMA1
- Infineon Technologies
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1:
$3.07
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4,395En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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4,395En existencias
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