Transistores de radiofrecuencia

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de trabajo Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Ganancia Calificación Empaquetado

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 16 dB Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 100 MHz 400 W - 55 C + 175 C 16 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOE-4 Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 16 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 11.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Si 500 MHz 25 W + 165 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 860 MHz 200 W + 200 C 17.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
Min.: 120
Mult.: 120
Carrete: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B2-3 Si 1.47 GHz 180 W + 200 C 17.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 2.7 GHz 15 W + 200 C 19 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 2.7 GHz 25 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
Min.: 160
Mult.: 160
Carrete: 160

RF MOSFET Transistors SMD/SMT A2-3 Si 3.6 GHz 40 W + 200 C 14 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF MOSFET Transistors Through Hole LBB-4 Si 945 MHz 150 W + 200 C 16 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz Plazo de entrega 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 150 MHz 175 W - 65 C + 150 C 21.3 dB Bulk