|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC201202FC-V2-R250
- MACOM
-
250:
$71.05
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201202FC2R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
H-37248-4
|
|
Si
|
1.8 GHz to 2.2 GHz
|
120 W
|
|
|
16.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC201602FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$92.32
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
|
Si
|
1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz
|
140 W
|
|
+ 225 C
|
17.7 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC201602FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$82.83
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
|
Si
|
1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz
|
140 W
|
|
+ 225 C
|
17.7 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R0
- MACOM
-
50:
$60.60
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
HB2SOF-8-1
|
|
Si
|
2.62 GHz to 2.69 GHz
|
400 W
|
|
+ 225 C
|
13.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W TO270-2N
- MW6S010NR1
- NXP Semiconductors
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S010NR1
NRND
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W TO270-2N
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
|
Si
|
450 MHz to 1.5 GHz
|
10 W
|
|
+ 150 C
|
18 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
NXP Semiconductors AFM912NT1
- AFM912NT1
- NXP Semiconductors
-
1,000:
$4.34
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-AFM912NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
DFN-16
|
|
Si
|
136 MHz to 941 MHz
|
15.7 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
13.3 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
- AFT05MP075N-54M
- NXP Semiconductors
-
1:
$1,016.82
-
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
|
N.º de artículo de Mouser
771-AFT05MP075N54M
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
|
|
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
|
|
Si
|
136 MHz to 520 MHz
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18.5 dB
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
- AFT05MS004-200M
- NXP Semiconductors
-
1:
$477.61
-
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
|
N.º de artículo de Mouser
771-AFT05MS004200M
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
|
|
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
|
|
|
$477.61
|
|
|
$415.57
|
|
|
$399.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
|
Si
|
136 MHz to 941 MHz
|
4.9 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
20.9 dB
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
- AFT27S006N-1000M
- NXP Semiconductors
-
1:
$1,211.41
-
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
|
N.º de artículo de Mouser
771-AFT27S006N1000M
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
|
|
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5W
|
|
Si
|
728 MHz to 3.7 GHz
|
28.8 dBm
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
16 dB
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
- AFT09MP055GNR1
- NXP Semiconductors
-
500:
$34.87
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270WB-4
|
|
Si
|
764 MHz to 940 MHz
|
57 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
17.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
NXP Semiconductors AFV121KHR5
- AFV121KHR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$1,409.69
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFV121KHR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
NI-1230H-4S
|
|
Si
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
1.23 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
16.9 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
- MRF6VP121KHR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$955.43
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6VP121KHR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
NI-1230-4
|
|
Si
|
|
1 kW
|
|
+ 150 C
|
20 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
- MRFE6VP61K25GSR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$433.68
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25GSR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
NI-1230GS-4
|
|
Si
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
1.25 kW
|
|
+ 150 C
|
24 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16080CF2
- STMicroelectronics
-
160:
$58.55
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16080CF2
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 160
Mult.: 160
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
A2-3
|
|
Si
|
1.625 GHz
|
80 W
|
|
+ 200 C
|
18 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L42008CG2
- STMicroelectronics
-
300:
$35.92
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L42008CG2
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 300
Mult.: 300
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
|
Si
|
3.6 GHz
|
8 W
|
|
+ 200 C
|
14.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
- RF3L05250CB4
- STMicroelectronics
-
100:
$166.45
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05250CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
|
Si
|
1 MHz
|
250 W
|
|
+ 200 C
|
18 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
- ST9060C
- STMicroelectronics
-
1:
$91.37
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo del Fabricante
ST9060C
N.º de artículo de Mouser
511-ST9060C
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
|
|
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
|
|
$91.37
|
|
|
$76.34
|
|
|
$68.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M243-3
|
|
Si
|
1.5 GHz
|
80 W
|
|
+ 200 C
|
17.3 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
- STAC4932F
- STMicroelectronics
-
80:
$103.93
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STAC4932F
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 80
Mult.: 80
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
STAC244F
|
|
Si
|
250 MHz
|
1 kW
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
24.6 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-3F
- CML Micro
-
1:
$56.33
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo del Fabricante
MWT-3F
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-3F
NRND
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
12 GHz
|
22 dBm
|
|
+ 150 C
|
12 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-7
- CML Micro
-
1,000:
$33.03
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo del Fabricante
MWT-7
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-7
NRND
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
26 GHz
|
21 dBm
|
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTAC240502FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$79.18
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTAC240502FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
|
Si
|
2.3 GHz to 2.4 GHz
|
50 W
|
|
+ 225 C
|
14.3 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTAC240502FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$71.05
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTAC240502FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
|
Si
|
2.3 GHz to 2.4 GHz
|
50 W
|
|
+ 225 C
|
14.3 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFC210202FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$58.77
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC210202FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
|
Si
|
1.8 GHz to 2.2 GHz
|
28 W
|
|
+ 225 C
|
21 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFC210202FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$51.86
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC210202FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
|
Si
|
1.8 GHz to 2.2 GHz
|
28 W
|
|
+ 225 C
|
21 dB
|
|
Reel
|
|
|
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
- PTRA094858NF-V1-R5
- MACOM
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500:
$113.82
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No en existencias
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NRND
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N.º de artículo de Mouser
941-PTRA094858NFV1R5
NRND
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MACOM
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
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No en existencias
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Min.: 500
Mult.: 500
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RF MOSFET Transistors
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Si
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Reel
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