|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
- STD130N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.89
-
4,189En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD130N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
|
|
4,189En existencias
|
|
|
$1.89
|
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$1.21
|
|
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$0.81
|
|
|
$0.641
|
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$0.594
|
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|
$0.554
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
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|
MOSFETs
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Si
|
SMD/SMT
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DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
- STD170N4F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.74
-
2,312En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD170N4F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
|
|
2,312En existencias
|
|
|
$2.74
|
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$1.77
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.06
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|
$0.915
|
|
|
$0.915
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD18N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.23
-
632En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
632En existencias
|
|
|
$2.23
|
|
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$1.43
|
|
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$0.982
|
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|
$0.784
|
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$0.70
|
|
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$0.666
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD6N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.05
-
2,132En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,132En existencias
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.867
|
|
|
$0.71
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|
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$0.622
|
|
|
$0.565
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
SCR 16 A High Temperature 800 V SCR
- TN1605H-8BTR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.10
-
2,465En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN1605H-8BTR
|
STMicroelectronics
|
SCR 16 A High Temperature 800 V SCR
|
|
2,465En existencias
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.594
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.535
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
DPAK
|
|
|
|
Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac
- T1635T-8G
- STMicroelectronics
-
1:
$1.57
-
3,357En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-T1635T-8G
|
STMicroelectronics
|
Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac
|
|
3,357En existencias
|
|
|
$1.57
|
|
|
$0.972
|
|
|
$0.656
|
|
|
$0.552
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.466
|
|
|
$0.439
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Triacs
|
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
- STGD5H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$1.20
-
2,873En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD5H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
|
|
2,873En existencias
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.75
|
|
|
$0.494
|
|
|
$0.389
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.286
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package
- TM8050H-8D3-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$7.38
-
168En existencias
-
700En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-TM8050H-8D3-TR
|
STMicroelectronics
|
SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package
|
|
168En existencias
700En pedido
Existencias:
168 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
400 Se espera el 18/5/2026
300 Se espera el 20/5/2026
Plazo de entrega de fábrica:
25 Semanas
|
|
|
$7.38
|
|
|
$5.06
|
|
|
$3.58
|
|
|
$3.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
D3PAK
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD11N60M6
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.698
-
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD11N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD12N60M6
- STMicroelectronics
-
2,500:
$1.34
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD7N60DM2
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.579
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
- STD80N6F7
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.346
-
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
|
|
$0.346
|
|
|
$0.338
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier
- STPS20120CB-TR
- STMicroelectronics
-
5,000:
$0.266
-
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPS20120CB-TR
|
STMicroelectronics
|
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier
|
|
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
|
|
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
- STD134N4F7AG
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.671
-
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD134N4F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
|
|
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|