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Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
- FF1400R23T2E7PB5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2,129.91
-
5En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF1400R23T2E7PB5
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
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Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
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|
5En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Tarjetas de memoria Industrial Compact Flash Card, C-500, 8 GB, SLC Flash, 0C to +70C
- SFCF008GH1AF2TO-C-MS-537-STD
- Swissbit
-
1:
$381.49
-
1En existencias
-
3Se espera el 20/4/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
922-610442
Nuevo producto
|
Swissbit
|
Tarjetas de memoria Industrial Compact Flash Card, C-500, 8 GB, SLC Flash, 0C to +70C
|
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1En existencias
3Se espera el 20/4/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5
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|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
- AHV85043K18ESTR
- Allegro MicroSystems
-
1:
$2.59
-
900En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
250-AHV85043K18ESTR
Nuevo producto
|
Allegro MicroSystems
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
|
|
900En existencias
|
|
|
$2.59
|
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$1.67
|
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$1.50
|
|
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$1.24
|
|
|
$0.80
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|
|
Ver
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|
$1.16
|
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|
$1.02
|
|
|
$0.881
|
|
|
$0.782
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
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|
Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
- SNXH800H120L7QDSG
- onsemi
-
1:
$287.69
-
77En existencias
-
24Se espera el 6/5/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-SNXH800H120L7QDS
Nuevo producto
|
onsemi
|
Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
|
|
77En existencias
24Se espera el 6/5/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
- ASA020V120E5
- APC-E
-
1:
$4.83
-
254En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
896-ASA020V120E5
Nuevo producto
|
APC-E
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
|
|
254En existencias
|
|
|
$4.83
|
|
|
$3.87
|
|
|
$3.12
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
- NSVT5551DW1T1G
- onsemi
-
1:
$0.98
-
2,841En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVT5551DW1T1G
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
|
|
2,841En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.61
|
|
|
$0.398
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.285
|
|
|
$0.238
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$3.35
-
20,623En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20,623En existencias
|
|
|
$3.35
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
- C4D40120D
- Wolfspeed
-
1:
$27.88
-
838En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-C4D40120D
|
Wolfspeed
|
Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
|
|
838En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
- ASA030V120E5
- APC-E
-
1:
$7.15
-
274En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
896-ASA030V120E5
Nuevo producto
|
APC-E
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
|
|
274En existencias
|
|
|
$7.15
|
|
|
$5.29
|
|
|
$4.27
|
|
|
$3.79
|
|
|
$3.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
- ASA040V120E5
- APC-E
-
1:
$7.97
-
281En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
896-ASA040V120E5
Nuevo producto
|
APC-E
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
|
|
281En existencias
|
|
|
$7.97
|
|
|
$5.63
|
|
|
$4.68
|
|
|
$4.17
|
|
|
$3.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
- ZXMS6005DN8Q-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.99
-
74,562En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005DN8Q-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
|
|
74,562En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.64
|
|
|
$0.528
|
|
|
$0.506
|
|
|
$0.488
|
|
|
$0.463
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
- FF300R12KS4
- Infineon Technologies
-
1:
$144.45
-
318En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-FF300R12KS4
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
|
|
318En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
- CSD87330Q3D
- Texas Instruments
-
1:
$1.46
-
50,231En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87330Q3D
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
|
|
50,231En existencias
|
|
|
$1.46
|
|
|
$0.965
|
|
|
$0.805
|
|
|
$0.736
|
|
|
$0.72
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.696
|
|
|
$0.687
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.42
-
42,162En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
42,162En existencias
|
|
|
$1.42
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.595
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.424
|
|
|
$0.375
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
- BC847BVN-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.57
-
147,651En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-BC847BVN-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
|
|
147,651En existencias
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.226
|
|
|
$0.17
|
|
|
$0.152
|
|
|
$0.119
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
- DMG1016V-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.48
-
268,799En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
|
|
268,799En existencias
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.297
|
|
|
$0.188
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.126
|
|
|
$0.099
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
- SCS240KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$23.71
-
1,258En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
|
|
1,258En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQJQ910EL-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$3.37
-
45,451En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
45,451En existencias
|
|
|
$3.37
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
- SCS240KE2HRC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$25.14
-
1,011En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240KE2HRC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
|
|
1,011En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
- BSO220N03MDGXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.21
-
62,857En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
|
|
62,857En existencias
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.755
|
|
|
$0.496
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.35
|
|
|
$0.286
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
- 1SS226,LF
- Toshiba
-
1:
$0.13
-
896,971En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS226LF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
|
|
896,971En existencias
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.09
|
|
|
$0.077
|
|
|
$0.056
|
|
|
$0.049
|
|
|
$0.025
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
- PMP4201Y,115
- Nexperia
-
1:
$0.62
-
130,403En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y115
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
|
|
130,403En existencias
|
|
|
$0.62
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.246
|
|
|
$0.187
|
|
|
$0.166
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.167
|
|
|
$0.148
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1563AEH-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.41
-
307,731En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
307,731En existencias
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.252
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.192
|
|
|
$0.184
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
- SQJ500AEP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.15
-
61,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
|
|
61,000En existencias
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.38
|
|
|
$0.934
|
|
|
$0.744
|
|
|
$0.711
|
|
|
$0.674
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
- SQJ940EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.00
-
55,706En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ940EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
|
|
55,706En existencias
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.862
|
|
|
$0.684
|
|
|
$0.642
|
|
|
$0.608
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
