|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
- SPD18P06PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.68
-
50,433En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
|
|
50,433En existencias
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.07
|
|
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$0.714
|
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$0.563
|
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$0.514
|
|
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$0.473
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD06N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.43
-
3,651En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
3,651En existencias
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.862
|
|
|
$0.793
|
|
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$0.731
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
- SPD08P06PGXT
- Infineon Technologies
-
1:
$1.21
-
20,785En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD08P06PGXT
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
|
|
20,785En existencias
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.753
|
|
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$0.493
|
|
|
$0.382
|
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|
$0.314
|
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|
Ver
|
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$0.346
|
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$0.285
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD04N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.36
-
2,836En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N60C3ATMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
2,836En existencias
|
|
|
$2.36
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.828
|
|
|
$0.814
|
|
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$0.756
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD03N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.83
-
2,025En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
2,025En existencias
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.695
|
|
|
$0.583
|
|
|
$0.541
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.542
|
|
|
$0.531
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD04N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.09
-
1,361En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
1,361En existencias
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.31
|
|
|
$0.679
|
|
|
$0.653
|
|
|
$0.653
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 4.2A DPAK-2
- SPD04P10PL G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.33
-
3,468En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04P10PLG
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 4.2A DPAK-2
|
|
3,468En existencias
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.834
|
|
|
$0.554
|
|
|
$0.429
|
|
|
$0.339
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.389
|
|
|
$0.316
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
- SPD08P06PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.14
-
77,949En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD08P06PGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
|
|
77,949En existencias
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.731
|
|
|
$0.481
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.298
|
|
|
$0.285
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
- SPD15P10PLGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.52
-
1,930En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD15P10PLGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
|
|
1,930En existencias
|
|
|
$2.52
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.869
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.889
|
|
|
$0.825
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
- SPD50P03LGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.30
-
2,267En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD50P03LGBTMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
|
|
2,267En existencias
|
|
|
$3.30
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
- SPD15P10P G
- Infineon Technologies
-
1:
$2.27
-
2,181En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD15P10PG
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
|
|
2,181En existencias
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.851
|
|
|
$0.737
|
|
|
$0.677
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD08N50C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.67
-
2,538En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
2,538En existencias
|
|
|
$2.67
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.942
|
|
|
$0.877
|
|
|
$0.815
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -30A DPAK-2
- SPD30P06PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.93
-
2,516En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD30P06PGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -30A DPAK-2
|
|
2,516En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.831
|
|
|
$0.659
|
|
|
$0.603
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.618
|
|
|
$0.592
|
|
|
$0.576
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
- SPD09P06PL G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.26
-
726En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD09P06PLG
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
|
|
726En existencias
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.795
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.432
|
|
|
$0.327
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.386
|
|
|
$0.325
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
- SPD15P10PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.18
-
369En existencias
-
2,500En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD15P10PGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
|
|
369En existencias
2,500En pedido
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.40
|
|
|
$0.948
|
|
|
$0.756
|
|
|
$0.697
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.729
|
|
|
$0.683
|
|
|
$0.677
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD02N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.74
-
23,404En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
23,404En existencias
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.562
|
|
|
$0.475
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.453
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
- SPD50P03L G
- Infineon Technologies
-
1:
$3.17
-
1,267En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD50P03LG
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
|
|
1,267En existencias
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
- SPD09P06PLGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.28
-
98En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD09P06PLGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
|
|
98En existencias
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.808
|
|
|
$0.534
|
|
|
$0.416
|
|
|
$0.35
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.378
|
|
|
$0.347
|
|
|
$0.335
|
|
|
$0.325
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD07N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.99
-
915En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
915En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
- SPD50P03LGXT
- Infineon Technologies
-
2,500:
$1.10
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD50P03LGXT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
Herramientas de desarrollo de antenas SP.1615.25.4.A.02 Globalstar patch Antenna 25*25*4mm on EVB with 5 pcs of SP.1615.25.4.A.02
Taoglas SPD.25A
- SPD.25A
- Taoglas
-
1:
$46.26
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
SPD.25A
N.º de artículo de Mouser
960-SPD.25A
|
Taoglas
|
Herramientas de desarrollo de antenas SP.1615.25.4.A.02 Globalstar patch Antenna 25*25*4mm on EVB with 5 pcs of SP.1615.25.4.A.02
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Herramientas de desarrollo de circuitos integrados de memoria SPD5-HERRADURA Poppy hills eval board
Renesas Electronics SPD5-HERRADURA
- SPD5-HERRADURA
- Renesas Electronics
-
1:
$774.96
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
972-SPD5-HERRADURA
|
Renesas Electronics
|
Herramientas de desarrollo de circuitos integrados de memoria SPD5-HERRADURA Poppy hills eval board
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
EEPROM 2.5-5.5v, 5MHz, A-Tmp, 8-SOIC
- AT25128B-SSPDGV-T
- Microchip Technology
-
4,000:
$0.996
-
4,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
579-AT25128BSSPDGV-T
|
Microchip Technology
|
EEPROM 2.5-5.5v, 5MHz, A-Tmp, 8-SOIC
|
|
4,000En existencias
|
|
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
EEPROM 2.5-5.5v, 5MHz, A-Tmp, 8-SOIC
- AT25256B-SSPDGV-T
- Microchip Technology
-
4,000:
$1.44
-
4,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
579-AT25256BSSPDGV-T
|
Microchip Technology
|
EEPROM 2.5-5.5v, 5MHz, A-Tmp, 8-SOIC
|
|
4,000En existencias
|
|
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
- FGY120T65SPD-F085
- onsemi
-
1:
$16.26
-
296En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FGY120T65SPDF085
|
onsemi
|
IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
|
|
296En existencias
|
|
|
$16.26
|
|
|
$10.04
|
|
|
$9.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|