EPC GaN FETs

Resultados: 56
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Modo canal Nombre comercial
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,750En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm 5,000En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 8,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14,784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2,455En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 4,677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 12,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 6,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 1,960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 3.3 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 12,470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 4,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 12,462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 12,467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 9,130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 20,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12,227En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 0.5 A 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 7,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 12,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 2,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET