Toshiba Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Toshiba XSM6K336NW,LXHF
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6
Toshiba XSM6K519NW,LXHF
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2,100En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6
Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes
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Toshiba XSM6K361NW,LXHF
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2,079En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
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3,965En existencias
2,000Se espera el 20/3/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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MOSFETs Si SMD/SMT DSOP-8
Toshiba Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
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Varactor Diodes SMD/SMT SOD-923-2

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)
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MOSFETs Si
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
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MOSFETs Si SMD/SMT DSOP-8
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
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MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
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Toshiba IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
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IGBT Transistors Si Through Hole
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SC-61
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)