TrenchP Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
Hoja de datos
658En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 - 15 V, + 15 V - 55 C + 150 C IXTN210P10 Tube
IXYS Módulos MOSFET DISCRETE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 18 A 120 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS Módulos MOSFET IXTY26P10T TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 26 A 90 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel
IXYS Módulos MOSFET IXTY32P05T TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 43 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 32 A 39 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS Módulos MOSFET IXTY48P05T TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 43 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 48 A 30 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel