|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
- STP6N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.08
-
1,797En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP6N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
|
|
1,797En existencias
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.796
|
|
|
$0.768
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.652
|
|
|
$0.621
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A
- STP9NK70ZFP
- STMicroelectronics
-
1:
$4.25
-
488En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK70ZFP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A
|
|
488En existencias
|
|
|
$4.25
|
|
|
$2.23
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
- STU10NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.92
-
2,998En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU10NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
|
|
2,998En existencias
|
|
|
$3.92
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW8N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.35
-
661En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW8N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
661En existencias
|
|
|
$4.35
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
- STY50N105DK5
- STMicroelectronics
-
1:
$23.25
-
439En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STY50N105DK5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
|
|
439En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
- STB14NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.89
-
667En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
|
|
667En existencias
|
|
|
$4.89
|
|
|
$3.25
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.18
|
|
|
$2.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
- STB20NM50T4
- STMicroelectronics
-
1:
$5.75
-
967En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
|
|
967En existencias
|
|
|
$5.75
|
|
|
$4.13
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
- STB30N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.97
-
1,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
|
|
1,000En existencias
|
|
|
$6.97
|
|
|
$4.71
|
|
|
$3.50
|
|
|
$3.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
- STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.61
-
1,535En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB4NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
|
|
1,535En existencias
|
|
|
$2.61
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.872
|
|
|
$0.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD12N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.75
-
2,369En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,369En existencias
|
|
|
$2.75
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
- STD8N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.20
-
1,872En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD8N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
|
|
1,872En existencias
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF12N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.34
-
1,131En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
1,131En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.848
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.738
|
|
|
$0.735
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FP-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
- STF21N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.21
-
959En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF21N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
|
|
959En existencias
|
|
|
$5.21
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.69
|
|
|
$2.50
|
|
|
$2.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF4N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.42
-
1,365En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF4N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
1,365En existencias
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.901
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.83
|
|
|
$0.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
- STFW40N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.78
-
446En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW40N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
|
|
446En existencias
|
|
|
$5.78
|
|
|
$3.68
|
|
|
$3.07
|
|
|
$2.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs N-channel MOSFET
- STGB10NC60KDT4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.99
-
1,433En existencias
-
2,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGB10NC60KDT4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-channel MOSFET
|
|
1,433En existencias
2,000En pedido
Existencias:
1,433 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 25/2/2026
1,000 Se espera el 8/6/2026
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.681
|
|
|
$0.624
|
|
|
$0.597
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
|
IGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
- STGB8NC60KDT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.06
-
1,860En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGB8NC60KDT4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
|
|
1,860En existencias
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.31
|
|
|
$0.871
|
|
|
$0.714
|
|
|
$0.613
|
|
|
$0.567
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
- STGD4M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
2,128En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD4M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
|
|
2,128En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.958
|
|
|
$0.636
|
|
|
$0.502
|
|
|
$0.453
|
|
|
$0.399
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
|
IGBTs PowerMESH" IGBT
- STGP14NC60KD
- STMicroelectronics
-
1:
$2.02
-
2,050En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP14NC60KD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs PowerMESH" IGBT
|
|
2,050En existencias
|
|
|
$2.02
|
|
|
$0.931
|
|
|
$0.741
|
|
|
$0.641
|
|
|
$0.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
- STH180N10F3-2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.32
-
1,072En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH180N10F3-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
|
|
1,072En existencias
|
|
|
$5.32
|
|
|
$3.55
|
|
|
$2.54
|
|
|
$2.44
|
|
|
$2.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
- STL125N8F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.16
-
2,955En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL125N8F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
|
|
2,955En existencias
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
- STL16N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.01
-
1,440En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL16N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
|
|
1,440En existencias
|
|
|
$3.01
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.04
|
|
|
$1.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-HV-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
- STL52N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$6.17
-
1,501En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
|
|
1,501En existencias
|
|
|
$6.17
|
|
|
$4.72
|
|
|
$3.82
|
|
|
$3.40
|
|
|
$3.00
|
|
|
$3.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
- STP10N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.01
-
1,799En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
|
|
1,799En existencias
|
|
|
$2.01
|
|
|
$0.976
|
|
|
$0.873
|
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$0.699
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Ver
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$0.627
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$0.598
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP24N60M6
- STMicroelectronics
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1:
$3.20
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792En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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792En existencias
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$3.20
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$1.60
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$1.45
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$1.17
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$1.15
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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