STMicroelectronics Transistores

Resultados: 1,980
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3 923En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 45En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 5En existencias
250En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in 227En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET 823En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed 74En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M 589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 251En existencias
1,000Se espera el 18/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington NPN General Purpose 5,477En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors Through Hole SOT-32 NPN
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST 580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on) 476En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A 2,947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A 1,691En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa 707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3 795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 1,984En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen 575En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO 1,712En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel


STMicroelectronics IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT 898En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package 1,457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed 1,015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp 1,181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3


STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs 121En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT 1,086En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 1,787En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel