|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
- STF6N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.80
-
983En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF6N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
|
|
983En existencias
|
|
|
$2.80
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.951
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
- STFU10N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.77
-
981En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFU10N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
|
|
981En existencias
|
|
|
$3.77
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
- STGP30M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.18
-
980En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP30M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
|
|
980En existencias
|
|
|
$3.18
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
- STGWA15H120DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
501En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15H120DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
|
|
501En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL33N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.13
-
2,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
2,200En existencias
|
|
|
$5.13
|
|
|
$3.69
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
- STL38N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.35
-
2,750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL38N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
|
|
2,750En existencias
|
|
|
$6.35
|
|
|
$4.51
|
|
|
$3.32
|
|
|
$3.31
|
|
|
$3.10
|
|
|
$3.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-HV-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL45N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.27
-
2,682En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL45N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
2,682En existencias
|
|
|
$7.27
|
|
|
$5.17
|
|
|
$4.04
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.45
|
|
|
$3.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
- STP105N3LL
- STMicroelectronics
-
1:
$1.64
-
2,575En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP105N3LL
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
|
|
2,575En existencias
|
|
|
$1.64
|
|
|
$0.78
|
|
|
$0.696
|
|
|
$0.548
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.458
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
- STP6NK60Z
- STMicroelectronics
-
1:
$3.00
-
1,276En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP6NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
|
|
1,276En existencias
|
|
|
$3.00
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
- STW12NK80Z
- STMicroelectronics
-
1:
$6.43
-
378En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW12NK80Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
|
|
378En existencias
|
|
|
$6.43
|
|
|
$4.12
|
|
|
$3.61
|
|
|
$3.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
- STW13N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.19
-
508En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW13N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
|
|
508En existencias
|
|
|
$5.19
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.61
|
|
|
$2.22
|
|
|
$2.20
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
- RF5L15120CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$192.58
-
18En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
|
|
18En existencias
|
|
|
$192.58
|
|
|
$157.06
|
|
|
$155.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
Dual N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
- STLD125N4F6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.21
-
2,487En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
|
|
2,487En existencias
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
- STLD200N4F6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$4.01
-
151En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STLD200N4F6AG
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
|
|
151En existencias
|
|
|
$4.01
|
|
|
$2.64
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
- STP15N60M2-EP
- STMicroelectronics
-
1:
$2.36
-
1,962En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP15N60M2-EP
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
|
|
1,962En existencias
|
|
|
$2.36
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.883
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.736
|
|
|
$0.734
|
|
|
$0.706
|
|
|
$0.703
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
- STD15N60M2-EP
- STMicroelectronics
-
1:
$2.32
-
2,461En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60M2-EP
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,461En existencias
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.869
|
|
|
$0.726
|
|
|
$0.691
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
- STD4NK50ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.94
-
2,304En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK50Z
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
|
|
2,304En existencias
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.824
|
|
|
$0.664
|
|
|
$0.597
|
|
|
$0.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
- M2P45M12W2-1LA
- STMicroelectronics
-
1:
$56.30
-
124En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-M2P45M12W2-1LA
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
|
|
124En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Press Fit
|
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
- M2TP80M12W2-2LA
- STMicroelectronics
-
1:
$49.25
-
127En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-M2TP80M12W2-2LA
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
|
|
127En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Press Fit
|
|
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
$7.80
-
365En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT070R70HTO
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
365En existencias
|
|
|
$7.80
|
|
|
$5.59
|
|
|
$4.88
|
|
|
$4.74
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.53
|
|
|
$4.65
|
|
|
$4.53
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
TO-LL-11
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STH65N050DM9-7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$9.00
-
796En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
796En existencias
|
|
|
$9.00
|
|
|
$6.17
|
|
|
$4.91
|
|
|
$4.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STHU65N050DM9AG
- STMicroelectronics
-
1:
$9.48
-
455En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STHU65N050DM9AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
455En existencias
|
|
|
$9.48
|
|
|
$6.51
|
|
|
$5.25
|
|
|
$4.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
- STO450N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$5.79
-
1,616En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
|
|
1,616En existencias
|
|
|
$5.79
|
|
|
$4.24
|
|
|
$3.07
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
- STF19NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.93
-
556En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF19NM50N
|
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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556En existencias
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$4.93
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$2.85
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$2.60
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$2.30
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
- STH260N6F6-2
- STMicroelectronics
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1:
$4.09
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693En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STH260N6F6-2
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
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693En existencias
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$4.09
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$3.06
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$2.36
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$2.09
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$1.85
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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H2PAK-2
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N-Channel
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