|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$22.99
-
194En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH63N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
|
|
194En existencias
|
|
|
$22.99
|
|
|
$17.97
|
|
|
$12.60
|
|
|
$12.60
|
|
|
$12.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ACEPACK SMIT-9
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
- SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$19.06
-
191En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
|
|
191En existencias
|
|
|
$19.06
|
|
|
$13.62
|
|
|
$12.15
|
|
|
$12.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
- STGIK10M120T
- STMicroelectronics
-
1:
$42.89
-
69En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIK10M120T
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
|
|
69En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
SDIPHP-30
|
|
|
|
|
IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
- STGSH80HB65DAG
- STMicroelectronics
-
1:
$19.41
-
189En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGSH80HB65DAG
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
|
|
189En existencias
|
|
|
$19.41
|
|
|
$13.88
|
|
|
$12.43
|
|
|
$12.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
ACEPACK-5
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
- STGYA50H120DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$6.35
-
550En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50H120DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
|
|
550En existencias
|
|
|
$6.35
|
|
|
$4.45
|
|
|
$3.89
|
|
|
$3.82
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
- STH12N120K5-2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.01
-
686En existencias
-
1,000Se espera el 13/4/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH12N120K5-2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
|
|
686En existencias
1,000Se espera el 13/4/2026
|
|
|
$12.01
|
|
|
$9.73
|
|
|
$8.11
|
|
|
$7.37
|
|
|
$6.75
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STH60N099DM9-2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$5.83
-
1,142En existencias
-
1,000Se espera el 26/2/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH60N099DM9-2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
1,142En existencias
1,000Se espera el 26/2/2026
|
|
|
$5.83
|
|
|
$3.91
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
- STL300N4LF8
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
2,767En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL300N4LF8
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
|
|
2,767En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.985
|
|
|
$0.932
|
|
|
$0.853
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
- STL325N4F8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.26
-
2,554En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4F8AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
|
|
2,554En existencias
|
|
|
$3.26
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
- STL325N4LF8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
3,978En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
|
|
3,978En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STP65N045M9
- STMicroelectronics
-
1:
$8.08
-
460En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP65N045M9
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
460En existencias
|
|
|
$8.08
|
|
|
$4.49
|
|
|
$4.13
|
|
|
$4.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N023M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$17.03
-
522En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
522En existencias
|
|
|
$17.03
|
|
|
$10.85
|
|
|
$10.84
|
|
|
$9.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N045M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$9.64
-
580En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
580En existencias
|
|
|
$9.64
|
|
|
$5.81
|
|
|
$5.80
|
|
|
$5.23
|
|
|
$4.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STWA65N023M9
- STMicroelectronics
-
1:
$14.64
-
354En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N023M9
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
354En existencias
|
|
|
$14.64
|
|
|
$8.95
|
|
|
$8.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STWA65N045M9
- STMicroelectronics
-
1:
$9.53
-
1,195En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N045M9
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
1,195En existencias
|
|
|
$9.53
|
|
|
$5.62
|
|
|
$4.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$3.74
-
12,796En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
12,796En existencias
|
|
|
$3.74
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.51
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.32
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$91.80
-
522En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
522En existencias
|
|
|
$91.80
|
|
|
$72.93
|
|
|
$70.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
M174
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
- SD2932W
- STMicroelectronics
-
1:
$202.66
-
132En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2932W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
|
|
132En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
M244
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB20N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.25
-
4,630En existencias
-
700Se espera el 24/3/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB20N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
4,630En existencias
700Se espera el 24/3/2026
|
|
|
$7.25
|
|
|
$4.91
|
|
|
$3.69
|
|
|
$3.44
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
- STH310N10F7-2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.19
-
8,894En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
|
|
8,894En existencias
|
|
|
$5.19
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.67
|
|
|
$2.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
- STL210N4F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.42
-
2,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL210N4F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
|
|
2,643En existencias
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.876
|
|
|
$0.771
|
|
|
$0.758
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
- STL40DN3LLH5
- STMicroelectronics
-
1:
$1.71
-
40,826En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL40DN3LLH5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
|
|
40,826En existencias
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.728
|
|
|
$0.574
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.484
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
- STL6P3LLH6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.61
-
33,270En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL6P3LLH6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
|
|
33,270En existencias
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.679
|
|
|
$0.534
|
|
|
$0.488
|
|
|
$0.443
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-3.3x3.3-8
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
- STL9P3LLH6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.59
-
98,381En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL9P3LLH6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
|
|
98,381En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.67
|
|
|
$0.527
|
|
|
$0.481
|
|
|
$0.436
|
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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PowerFLAT-3.3x3.3-8
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P-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
- STP20NM60FD
- STMicroelectronics
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1:
$7.51
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5,313En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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5,313En existencias
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$7.51
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$4.10
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$3.76
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$3.65
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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