STMicroelectronics STripFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V 40,812En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 16 mOhms - 22 V, 22 V 1.5 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate 27,483En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 32,712En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3 39,250En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 98,152En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI 43,403En existencias
Min.: 1
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Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp 1,372En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 30 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 64 nC - 65 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 1,832En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp 3,796En existencias
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp 4,732En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 65 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package 6,112En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 30 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 4,448En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement STripFET Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 2 Amp 25,585En existencias
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Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 2.4 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 6.5 Amp 7,632En existencias
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Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 30 V 6.5 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 4A STripFET 16,359En existencias
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Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 100 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II 18,316En existencias
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Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 1 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A 1,258En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 233 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp 5,929En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 26 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 30 Amp 7,406En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 40 mOhms - 18 V, 18 V 1 V 13 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 50 Amp 2,407En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 1,313En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp 4,051En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp 3,519En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 54 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp 2,117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 104 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 2,957En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 75 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 50 C + 150 C 190 W Enhancement STripFET Tube