Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

Resultados: 30
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK 3,703En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4,315En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK 1,560En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,682En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 1,307En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 49,915En existencias
36,000En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 33,728En existencias
24,000Se espera el 3/4/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 115,683En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 62,551En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 41,585En existencias
33,000Se espera el 13/7/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 19,933En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 33,910En existencias
39,000Se espera el 6/7/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5,642En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 8,377En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5,675En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 6,847En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 6,829En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 8,588En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 543En existencias
2,000Se espera el 13/3/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK 100En existencias
2,000Se espera el 20/3/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet 8,071En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V 5,008En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 1,106En existencias
12,000En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 291En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104 2,547En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel