Schottky Barrier Rectifiers

Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers are available in four packages (DO-214AC (SMA), DO-214AA (SMB), DO-214AB (SMC), SOD-123W) to provide a wide variety of choices to meet the customer's design requirements. These devices are available in 1A, 2A, 3A, and 4A forward current (IF) ratings and repetitive peak reverse voltage (VRRM) choices of 40V, 60V, and 100V. The peak forward surge current (IFSM) is available in either 70A, 100A, or 145A ratings. These Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers have a low power loss and are highly efficient.

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si Through Hole ITO-220S-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 165 mOhms 20 V, 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si Through Hole ITO-220S-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 165 mOhms 20 V, 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si Through Hole ITO-220S-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 165 mOhms 20 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 196 mOhms 20 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel