Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
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XSM6K519NW,LXHF

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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8 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K361NW,LXHF
Toshiba
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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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1 Channel

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3.5 A

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K336NW,LXHF
Toshiba
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XSM6K336NW,LXHF

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757-XSM6K336NWLXHF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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DFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

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20 V

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
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TK160F10N1L,LXGQ

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N-Channel

1 Channel

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160 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

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375 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
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XPN12006NC,L1XHQ

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757-XPN12006NCL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

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20 A

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23 nC

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65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
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TK40S06N1L,LXHQ

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757-TK40S06N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

60 V

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26 nC

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88.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

TPHR9003NL1,LQ
Toshiba
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TPHR9003NL1,LQ

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757-TPHR9003NL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

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320 A

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- 20 V, 20 V

2.3 V

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170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K819R,LXHF
Toshiba
1: $1.56
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SSM6K819R,LXHF

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757-SSM6K819RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

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TSOP6F

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

8.5 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

TPH2R306NH1,LQ
Toshiba
1: $2.29
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TPH2R306NH1,LQ

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757-TPH2R306NH1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

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190 A

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- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
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XPH6R30ANB,L1XHQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

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SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1: $1.53
7,004En existencias

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XPN3R804NC,L1XHQ

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757-XPN3R804NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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40 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

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+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
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XPN7R104NC,L1XHQ

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757-XPN7R104NC,L1XHQ

Toshiba

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TSON-Advance-8

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1 Channel

40 V

20 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101

TK60S10N1L,LXHQ
Toshiba
1: $2.30
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TK60S10N1L,LXHQ

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757-TK60S10N1LLXHQ

Toshiba

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

60 nC

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180 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K809R,LXHF
Toshiba
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SSM6K809R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K809RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

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9.3 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101

XPH4R10ANB,L1XHQ
Toshiba
1: $2.33
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XPH4R10ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R10ANBL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101

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$2.33

$1.49

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SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
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TK25S06N1L,LXHQ

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757-TK25S06N1L,LXHQ

Toshiba

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

36.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K810R,LXHF
Toshiba
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SSM6K810R,LXHF

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757-SSM6K810RLXHF

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.2 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101

TK11S10N1L,LXHQ
Toshiba
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TK11S10N1L,LXHQ

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757-TK11S10N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101

TK15S04N1L,LXHQ
Toshiba
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TK15S04N1L,LXHQ

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757-TK15S04N1LLXHQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

17.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101

TK60F10N1L,LXGQ
Toshiba
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TK60F10N1L,LXGQ

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757-TK60F10N1LLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101

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TO-220SM-3

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1 Channel

100 V

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm

TPH1500CNH1,LQ
Toshiba
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SOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

38 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK100S04N1L,LXHQ
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N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

76 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm

TPH4R50ANH1,LQ
Toshiba
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1 Channel

100 V

92 A

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- 20 V, 20 V

4 V

58 nC

+ 150 C

170 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba
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1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6N813R,LXHF
Toshiba
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SSM6N813R,LXHF

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757-SSM6N813RLXHF

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

2 Channel

100 V

3.5 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.6 nC

+ 175 C

1.5 W

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AEC-Q101

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Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3 A
3.5 A
6 A
7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
33 A
38 A
40 A
45 A
60 A
70 A
92 A
100 A
160 A
190 A

770 uOhms
1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.8 mOhms
4.1 mOhms
4.5 mOhms
6.11 mOhms
6.3 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.7 mOhms
10.5 mOhms
15.4 mOhms
17.8 mOhms
20.9 mOhms
23.7 mOhms
28 mOhms
36 mOhms
36.8 mOhms

1.7 nC
3.2 nC
3.6 nC
6.5 nC
7.1 nC
8.5 nC
9.3 nC
10 nC
15 nC
21 nC
22 nC
23 nC
26 nC
33 nC
35 nC
52 nC
58 nC
60 nC
72 nC
74 nC