Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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500Se espera el 23/3/2026

$4.47

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500Se espera el 9/7/2026

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376En existencias

500Se espera el 9/7/2026

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IPW60R060C7XKSA1

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Infineon Technologies
1: $5.11
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120C7XKSA1

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223En existencias

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N-Channel

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19 A

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IPL60R065C7AUMA1

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6,665Se espera el 11/6/2026

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IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
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2,720En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

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726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

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2,720En pedido

$10.53

$6.28

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IPB60R099C7ATMA1

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1,941En pedido

Cinta cortada

$5.46

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Envase tipo carrete

$2.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

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+ 150 C

110 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R040C7XKSA1
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240Se espera el 6/5/2026

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IPZ60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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240Se espera el 6/5/2026

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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