Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low R_DS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an R_DS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMP210N65EC_T0_00601
Panjit
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2,862En existencias

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PJMP210N65EC_T0_00601

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241-PJMP210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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$1.31

$1.17

$1.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 mA

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMF210N65EC_T0_00601
Panjit
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$2.68

$1.32

$1.18

$1.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-F-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF390N65EC_T0_00001
Panjit
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$1.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

390 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

29.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP390N65EC_T0_00001
Panjit
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$1.89

$1.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

390 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

87.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF990N65EC_T0_00001
Panjit
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$1.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

4.7 A

990 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

9.7 nC

- 55 C

+ 150 C

22.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMD990N65EC_L2_00001
Panjit
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Cinta cortada

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$1.68

$1.20

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Envase tipo carrete

$0.867

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4.7 A

990 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

9.7 nC

- 55 C

+ 150 C

47.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF130N65EC_T0_00001
Panjit
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241-PJMF130N65T00001

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$7.35

$5.36

$3.95

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

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PJMB390N65EC_R2_00601
Panjit
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PJMB390N65EC_R2_00601

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Cinta cortada

$2.07

$1.33

$1.05

Envase tipo carrete

$1.05

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

390 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

87.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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PJMB210N65EC_R2_00601
Panjit
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Cinta cortada

$2.67

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$1.19

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PJMD390N65EC_L2_00001
Panjit
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$1.69

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$1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-252AA-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PJMF600N65E1_T0_00001
Panjit
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PJMF600N65E1_T0_00001

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241-PJMF600N65E1T001

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$1.75

$0.837

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Tube

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PJMP130N65EC_T0_00001
Panjit
1: $3.91
980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP130N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP130N65T00001

Panjit

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980En existencias

$3.91

$3.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

130 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

235 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET

PJMB130N65EC_R2_00601
Panjit
800: $2.83
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMB130N65EC_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMB130N65ER2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas

Envase tipo carrete

$2.83

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

235 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF280N65E1_T0_00001
Panjit
2,000: $1.21
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF280N65E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF280N65E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

Hoja de datos

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$1.21

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP990N65EC_T0_00001
Panjit
2,000: $0.964
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMP990N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP990N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

$0.964

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

4.7 A

990 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

9.7 nC

- 55 C

+ 150 C

47.5 W

Enhancement

Tube

650V N-Channel Super Junction MOSFETs

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