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DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 112

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Nombre comercial = DTMOSIV

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK20V60W5,LVQ
Toshiba
1: $4.78
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TK20V60W5,LVQ

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757-TK20V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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$4.78

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Envase tipo carrete

$1.98

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

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55 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK6P60W,RVQ
Toshiba
1: $3.19
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TK6P60W,RVQ

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757-TK6P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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Cinta cortada

$3.19

$2.08

$1.23

$1.16

Envase tipo carrete

$1.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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6.2 A

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- 30 V, 30 V

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60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
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TK16G60W5,RVQ

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757-TK16G60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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$2.33

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$2.06

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Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

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- 30 V, 30 V

3 V

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130 W

Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

TK12A80W,S4X
Toshiba
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TK12A80W,S4X

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757-TK12A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

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$2.10

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N-Channel

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8P60W5,RVQ
Toshiba
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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8A60W5,S5VX
Toshiba
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TK8A60W5,S5VX

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Toshiba

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N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

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3 V

22 nC

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35N65W,S1F
Toshiba
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TK35N65W,S1F

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757-TK35N65WS1F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

TK14A65W5,S5X
Toshiba
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TK14A65W5,S5X

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757-TK14A65W5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK17N65W,S1F
Toshiba
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TK17N65W,S1F

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757-TK17N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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TO-247-3

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DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6P65W,RQ
Toshiba
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TK6P65W,RQ

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757-TK6P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X
Toshiba
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551En existencias

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TK7A80W,S4X

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757-TK7A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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551En existencias

$4.08

$2.09

$1.85

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

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3 V

13 nC

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35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

TK8P65W,RQ
Toshiba
1: $3.11
1,788En existencias

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TK8P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

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$3.11

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.8 A

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80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: $5.23
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N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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2,489En existencias

Cinta cortada

$5.23

$3.48

$2.49

$2.38

$2.23

Envase tipo carrete

$2.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

TK12P60W,RVQ
Toshiba
1: $3.55
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK12P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

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757En existencias

Cinta cortada

$3.55

$2.32

$1.62

$1.41

$1.32

Envase tipo carrete

$1.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK39N60W5,S1VF
Toshiba
1: $7.62
4,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK39N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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4,395En existencias

$7.62

$4.42

$3.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

62 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

TK100L60W,VQ
Toshiba
1: $32.20
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100L60W,VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100L60WVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

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74En existencias

$32.20

$24.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

100 A

15 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

360 nC

- 55 C

+ 150 C

797 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK14G65W,RQ
Toshiba
1: $3.73
1,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14G65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK14G65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

1,288En existencias

Cinta cortada

$3.73

$2.45

$1.71

$1.51

Envase tipo carrete

$1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1: $5.91
3,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

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3,821En existencias

Cinta cortada

$5.91

$4.11

$2.97

$2.95

$2.79

Envase tipo carrete

$2.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

87 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK10A60W5,S5VX
Toshiba
1: $2.70
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

257En existencias

$2.70

$1.34

$1.29

$0.966

$0.943

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

TK10A60W,S4VX
Toshiba
1: $3.66
79En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

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Hoja de datos

79En existencias

$3.66

$1.86

$1.67

$1.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

TK11A65W,S5X
Toshiba
1: $2.01
43En existencias
250Se espera el 13/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK11A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

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Hoja de datos

43En existencias

250Se espera el 13/3/2026

$2.01

$0.972

$0.87

$0.692

$0.632

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.1 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.09
237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

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Hoja de datos

237En existencias

$3.09

$1.55

$1.54

$1.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

TK14A65W,S5X
Toshiba
1: $3.69
128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

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Hoja de datos

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33 mOhms
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