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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Fabricante = onsemi

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLAFT1G-YE
onsemi
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NVMFS5C442NLAFT1G-YE

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863-FS5C442NLAFT1GYE

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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$0.453

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

NTK3134NT3G
onsemi
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NTK3134NT3G

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863-NTK3134NT3G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

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Cinta cortada

$0.34

$0.25

$0.142

$0.096

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$0.047

Min.: 1
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Carrete: 40,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

890 mA

1.2 Ohms

- 8 V, 8 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

450 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

NVMFS5C456NLAFT1G-YE
onsemi
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NVMFS5C456NLAFT1G-YE

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863-FS5C456NLAFT1GYE

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, T10M, DFN5, 5x6, SO-8FL, 40 V, 1.8 mohm, 151 A40 V, 1.65 m, 154 A

NTMFS1D7N04XMT1G
onsemi
1: $1.96
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NTMFS1D7N04XMT1G

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863-NTMFS1D7N04XMT1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, T10M, DFN5, 5x6, SO-8FL, 40 V, 1.8 mohm, 151 A40 V, 1.65 m, 154 A

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Cinta cortada

$1.96

$1.24

$0.827

$0.678

Envase tipo carrete

$0.545

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

1.65 mOhms

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3.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS4D7N04XMT1G
onsemi
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NTMFS4D7N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D7N04XMT1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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$0.59

$0.385

$0.296

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$0.232

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

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66 A

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3.5 V

10.4 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G-YE
onsemi
1: $1.27
1,286En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-S5C460NLAFT1GYE

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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$0.532

$0.437

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$0.345

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SSOT-6 N-CH 30V

FDC653N
onsemi
1: $1.22
52,506En existencias

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FDC653N

N.º de artículo de Mouser
512-FDC653N

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SSOT-6 N-CH 30V

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Cinta cortada

$1.22

$0.764

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$0.391

Envase tipo carrete

$0.293

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET

FDPF20N50T
onsemi
1: $2.20
7,953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDPF20N50T

N.º de artículo de Mouser
512-FDPF20N50T

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET

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7,953En existencias

$2.20

$2.00

$1.87

$1.85

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

59.5 nC

- 55 C

+ 150 C

38.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET

FQA8N100C
onsemi
1: $4.35
10,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQA8N100C

N.º de artículo de Mouser
512-FQA8N100C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET

Hoja de datos

10,888En existencias

$4.35

$3.13

$2.82

$2.66

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

8 A

1.45 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

225 W

Enhancement

QFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL

NTMFD5C478NLT1G
onsemi
1: $1.58
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD5C478NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD5C478NLT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL

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Cinta cortada

$1.58

$0.996

$0.661

$0.522

Envase tipo carrete

$0.404

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

NTMFS4C324NT1G
onsemi
1: $1.05
1,463En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C324NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C324NT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

Hoja de datos

1,463En existencias

Cinta cortada

$1.05

$0.655

$0.427

$0.329

Envase tipo carrete

$0.249

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

136 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20.8 nC

- 55 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NTTFS002N04CLTAG-SR01
onsemi
1: $2.14
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS002N04CLTAG-SR01

N.º de artículo de Mouser
863-S002N04CLTAGSR01

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

1,500En existencias

Cinta cortada

$2.14

$2.06

$1.42

$1.21

Envase tipo carrete

$0.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V P-Channel PowerTrench

FDMC4435BZ
onsemi
1: $1.63
53,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMC4435BZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC4435BZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V P-Channel PowerTrench

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53,326En existencias

Cinta cortada

$1.63

$1.03

$0.689

$0.542

Envase tipo carrete

$0.434

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

Power-33-8

P-Channel

1 Channel

30 V

8.5 A

20 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH

NTMFS4C09NCT1G
onsemi
1: $0.69
3,267En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C09NCT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C09NCT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH

Hoja de datos

3,267En existencias

Cinta cortada

$0.69

$0.422

$0.271

$0.206

Envase tipo carrete

$0.132

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16.4 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

10.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.51 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET

FDA59N25
onsemi
1: $4.64
16,468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDA59N25

N.º de artículo de Mouser
512-FDA59N25

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET

Hoja de datos

16,468En existencias

$4.64

$2.28

$1.95

$1.77

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

250 V

59 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

392 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET

FDC608PZ
onsemi
1: $0.56
154,579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDC608PZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDC608PZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

154,579En existencias

Cinta cortada

$0.56

$0.376

$0.275

$0.231

$0.213

Envase tipo carrete

$0.177

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SSOT-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.8 A

30 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET

FDD18N20LZ
onsemi
1: $2.56
52,094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD18N20LZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDD18N20LZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET

Hoja de datos

52,094En existencias

Cinta cortada

$2.56

$1.67

$1.15

$0.92

$0.911

Envase tipo carrete

$0.858

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

16 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

UniFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

FDH44N50
onsemi
1: $10.35
6,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDH44N50

N.º de artículo de Mouser
512-FDH44N50

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

Hoja de datos

6,958En existencias

$10.35

$6.14

$5.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

44 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

750 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE

FDPF12N60NZ
onsemi
1: $2.20
14,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDPF12N60NZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDPF12N60NZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE

Hoja de datos

14,306En existencias

$2.20

$1.33

$1.12

$1.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

UniFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET

FQB5N90TM
onsemi
1: $3.28
12,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQB5N90TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB5N90TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET

Hoja de datos

12,992En existencias

Cinta cortada

$3.28

$2.56

$1.78

$1.69

Envase tipo carrete

$1.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

5.4 A

2.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

3.13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD13N10LTM
onsemi
1: $1.10
229,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD13N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD13N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

229,292En existencias

Cinta cortada

$1.10

$0.686

$0.45

$0.354

Envase tipo carrete

$0.281

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM-F085
onsemi
1: $1.38
31,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

31,807En existencias

Cinta cortada

$1.38

$0.964

$0.717

$0.564

Envase tipo carrete

$0.52

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.6 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

QFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel

FQT1N80TF-WS
onsemi
1: $1.44
72,936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQT1N80TF-WS

N.º de artículo de Mouser
512-FQT1N80TF_WS

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel

Hoja de datos

72,936En existencias

Cinta cortada

$1.44

$0.915

$0.631

$0.506

Envase tipo carrete

$0.377

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

800 V

200 mA

20 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

NTHL050N65S3HF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

378 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

FQD5N60CTM
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MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.8 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

APMCA-16
ATPAK-3
CSP-6
ChipFET-8
D2PAK-2
D2PAK-2 (TO-263-2)
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
D2PAK-7
D2PAK-7L
DFN-3
DFN-5
DFN-5060-8
DFN-6
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DFNW5
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)

8 V
12 V
20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
24 V
25 V
25 V, 25 V
25 V, 30 V
30 V
30 V, 20 V
30 V, 60 V
35 V
40 V
42 V
46 V
50 V
52 V
55 V

115 mA
120 mA
130 mA
154 mA
170 mA
180 mA
196 mA
200 mA
220 mA
220 mA, 127 mA
224 mA
238 mA
250 mA
250 mA, 880 mA
255 mA
270 mA
280 mA
280 mA, 200 mA
294 mA
295 mA

400 uOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
580 uOhms
600 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms

- 500 mV, 8 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 25 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 12 V
- 20 V, 20 V
- 16 V, 16 V
- 16 V, 20 V
- 15 V, 15 V
- 14 V, 14 V
- 12.5 V, 12.5 V
- 12 V, - 10 V, 10 V, 12 V
- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V
- 12 V, 12 V
- 12 V, 16 V
- 10 V, 10 V
- 8 V, 10 V

400 mV
400 mV, 1.5 V
450 mV
450 mV, 1 V
500 mV
500 mV, 600 mV
520 mV
600 mV
600 mV, 1.2 V
600 mV, 450 mV
610 mV, 1.2 V
650 mV
650 mV, 1.5 V
700 mV
700 mV, 600 mV
720 mV
800 mV
800 mV, 1.1 V
800 mV, 450 mV
850 mV

490 pC
700 pC
793 pC
800 pC
810 pC
900 pC
900 pC, 2.2 nC
1 nC
1.1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.3 nC
1.3 nC, 2.2 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.5 nC, 1.7 nC
1.5 nC, 2.2 nC
1.7 nC
1.8 nC
1.82 nC

120 mW
125 mW
150 mW
155 mW
166 mW
170 mW
200 mW
225 mW
250 mW
270 mW
272 mW
280 mW
290 mW
300 mW
301 mW
310 mW
313 mW
329 mW
330 mW
350 mW