Transistores

Transistores
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vishay Módulos IGBT Modules IGBT - DIAP IGBT
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IGBT Modules Si


Infineon Technologies Módulos IGBT 950 V, 600 A 3-level IGBT module
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11En existencias
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IGBT Modules Si
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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428En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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1,995En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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2,056En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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1,901En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
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7,438En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET
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10,888En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel

onsemi IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
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38,736En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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14,565En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
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13,751En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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50,979En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
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36,866En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
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52,753En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
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273En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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1,730En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET
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31,695En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
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72,906En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3
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53,361En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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350,959En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET
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145,926En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 74A TDSON-8
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30,227En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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63,398En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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29,785En existencias
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Carrete: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
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368,570En existencias
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Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel