Semiconductores discretos

Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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26,200En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT
Vishay General Semiconductor Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS T4F - A 12V
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35,712En existencias
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DO-219AB-2
Vishay General Semiconductor Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS T4F - A 33V
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34,964En existencias
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DO-219AB-2
Vishay Semiconductors Rectificadores RECT 600V 60A RDL HYPER FST
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814En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-247AD-3
Vishay Semiconductors IGBTs Modules IGBT - SOT-227 IGBT
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536En existencias
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IGBT Transistors Si Screw Mount

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L
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2,250En existencias
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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2,550En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
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5,388En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
Hoja de datos
4,585En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT
Bourns Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1KA high current bidirectional TVS diodes
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11,556En existencias
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DFN-2
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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837En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
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704En existencias
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IGBT Transistors
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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2,002En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT WHTFN-9
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
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726En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)
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26,806En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT WLCSP-3
ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 40V 5A SBD
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6,945En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 8.0A(Id), (10V Drive)
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4,594En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (4.5V Drive)
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5,860En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSMT-8
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
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635En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
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131En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
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1,764En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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5,015En existencias
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Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 10 x 12
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A
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7,986En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Vishay Semiconductors Rectificadores RECT 600V 4A SM STD RCOVR
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13,463En existencias
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Rectifiers SMD/SMT DFN-3820A
Vishay Semiconductors Rectificadores RECT 400V 2A SM STD RCOVR
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13,734En existencias
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Rectifiers SMD/SMT DO-221AD