Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 27

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.92
4,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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4,330En existencias

Cinta cortada

$3.92

$2.57

$1.80

$1.48

$1.38

Envase tipo carrete

$1.38

Min.: 1
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: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $5.46
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST026N10NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST026N10NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,478En existencias

Cinta cortada

$5.46

$3.42

$2.59

$2.36

$2.34

Envase tipo carrete

$2.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

248 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.88
3,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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3,245En existencias

Cinta cortada

$3.88

$2.54

$1.78

$1.46

$1.36

Envase tipo carrete

$1.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

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+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.71
5,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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5,096En existencias

Cinta cortada

$3.71

$2.42

$1.72

$1.43

Ver

Envase tipo carrete

$1.28

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

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+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IST019N08NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.35
470En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IST019N08NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST019N08NM5AUMA

Fin de vida útil

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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470En existencias

Cinta cortada

$4.35

$2.87

$2.03

$1.88

$1.87

Envase tipo carrete

$1.74

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SMD/SMT

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1 Channel

80 V

290 A

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+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.33
925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

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925En existencias

$6.33

$3.68

$3.36

$2.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

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375 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQD020N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $4.66
3,053En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQD020N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD020N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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3,053En existencias

Cinta cortada

$4.66

$3.26

$2.84

$2.65

Envase tipo carrete

$2.65

Min.: 1
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TTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

273 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.80
2,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2,778En existencias

Cinta cortada

$3.80

$2.49

$1.74

$1.42

$1.32

Envase tipo carrete

$1.32

Min.: 1
Mult.: 1

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TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC025N08NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.37
6,119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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6,119En existencias

Cinta cortada

$4.37

$2.88

$2.03

$1.71

$1.65

Envase tipo carrete

$1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

198 A

2.55 mOhms

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3.9 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT013N08NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $9.87
2,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT013N08NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT013N08NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2,382En existencias

Cinta cortada

$9.87

$6.76

$5.07

$4.73

Envase tipo carrete

$4.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

333 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.1 V

158 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.08
101En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E046N08LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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101En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

$4.08

$2.67

$1.91

$1.59

$1.53

Envase tipo carrete

$1.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.29
434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP083N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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434En existencias

$3.29

$1.64

$1.48

$1.19

$1.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.43
54En existencias
3,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC014N10NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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54En existencias

3,600En pedido

Cinta cortada

$6.43

$4.31

$3.11

$2.87

$2.68

Envase tipo carrete

$2.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

365 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.93
993En existencias
6,000Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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993En existencias

6,000Se espera el 19/11/2026

Cinta cortada

$3.93

$2.58

$1.80

$1.48

$1.38

Envase tipo carrete

$1.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.88
107En existencias
6,000Se espera el 25/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

107En existencias

6,000Se espera el 25/2/2027

Cinta cortada

$3.88

$2.54

$1.78

$1.46

Ver

Envase tipo carrete

$1.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.87
615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

615En existencias

$3.87

$1.96

$1.77

$1.56

$1.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPTC011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.24
35En existencias
7,220En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTC011N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC011N08NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

35En existencias

7,220En pedido

Cinta cortada

$6.24

$4.18

$3.01

$2.76

$2.58

Envase tipo carrete

$2.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

80 V

408 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.01
103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

103En existencias

Cinta cortada

$4.01

$2.63

$1.88

$1.56

$1.50

Envase tipo carrete

$1.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.72
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

92En existencias

Cinta cortada

$3.72

$2.43

$1.69

$1.38

Ver

Envase tipo carrete

$1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.66
11,970En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

11,970En pedido

Cinta cortada

$4.66

$3.00

$2.18

$1.87

Ver

Envase tipo carrete

$1.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: $6.79
11,751En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

11,751En pedido

Cinta cortada

$6.79

$4.55

$3.50

$3.19

$3.09

Envase tipo carrete

$2.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $5.24
5,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQD016N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD016N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

$5.24

$3.47

$2.83

$2.68

$2.63

Envase tipo carrete

$2.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

323 A

1.57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.12
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IQE046N08LM5SCATMA1

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726-IQE046N08LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Envase tipo carrete

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Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
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10,000Se espera el 20/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5ATMA

Infineon Technologies

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Ver

Envase tipo carrete

$1.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

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IPP020N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N08N5XKSA1

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Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

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